[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201410305809.5
• 申請日: 2010-12-28
• 公開（公告）號: CN104112801A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: 丁煥熙;李尚烈;宋俊午;崔光基
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/38;H01L33/44
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 陸弋;王偉

分案申請

本申請是申請號為201010621716.5的中國專利申請的分案申請，上述申請的申請日為2010年12月28日，發明名稱為“發光器件”。相關申請的交叉引用

本申請要求于2010年3月10日提交的韓國專利申請No.10-2010-0021289的優先權，該韓國專利申請的全部內容在此通過引用的方式并入。

技術領域

實施例涉及一種發光器件和發光器件封裝。

背景技術

發光二極管(LED)是一種將電能轉換為光的半導體器件。與現有技術的諸如熒光燈和白熾燈泡等的光源相比，LED具有如下優點：例如，低功耗，半永久性壽命，響應時間快，安全且環保。為了將現有技術的光源替換為LED，已經進行許多研究。而且，按照這種趨勢，LED正日益用作如下裝置的光源：諸如各種燈管和街燈等的照明裝置、液晶顯示裝置的照明單元、以及室內和室外記分牌。

發明內容

實施例提供了一種具有新潁結構的發光器件和發光器件封裝。

實施例還提供了一種具有提高的發光效率的發光器件。

實施例還提供了一種具有提高的光提取效率的發光器件。

實施例還提供了一種發出均勻光的發光器件。

在一個實施例中，一種發光器件包括：金屬層；包括第一導電型半導體層、有源層和第二導電型半導體層的發光結構；布置在第二導電型半導體層的第一上部分上的電極；布置在第二導電型半導體層的第二上部分上的電流擴展部；布置在第一導電型半導體層下方的粘附層；布置在電極和粘附層之間的絕緣層；布置在發光結構的傾斜表面上及至少一個上表面上的鈍化層；布置在金屬層和第一導電型半導體層之間的反射層，其中，電極具有包括Au的第一層并接觸電流擴展部，電極的上表面具有第一粗糙部，第二導電型半導體層的上表面具有第二粗糙部，且電流擴展部具有傾斜表面。

在另一個實施例中，發光器件包括：第一電極；發光結構，該發光結構包括位于所述第一電極上的第一半導體層、有源層以及第二半導體層；第二電極，該第二電極位于所述發光結構上；以及反射構件，該反射構件至少位于所述第二電極的側向表面上。

在另一實施例中，發光器件包括：第一電極；位于該第一電極上的粘附層；位于該粘附層上的反射層；位于該反射層上的歐姆接觸層；位于粘附層上并布置在歐姆接觸層的側向表面上的溝道層；發光結構，該發光結構包括位于該溝道層和歐姆接觸層上的第一半導體層、位于該第一半導體層上的有源層、以及位于該有源層上的第二半導體層；位于該發光結構上的第二電極，該第二電極至少在其側向表面處具有傾斜的非平坦表面；至少位于第二電極的側向表面上的反射構件，該反射構件的形狀與第二電極的側向表面的形狀相對應；以及鈍化層，該鈍化層從所述溝道層的頂表面向所述發光結構的側向表面延伸。

在又一實施例中，發光器件封裝包括：主體；位于該主體上的至少一個引線電極；以及發光器件，該發光器件電連接到所述引線電極，其中，該發光器件包括：第一電極；發光結構，該發光結構包括位于該第一電極上的第一半導體層、有源層、以及第二半導體層；位于該發光結構上的第二電極；以及至少位于第二電極的側向表面上的反射構件。

在附圖和下面的描述中闡述了一個或多個實施例的細節。從該描述和附圖以及權利要求中，其它特征將變得顯而易見。

附圖說明

圖1是根據第一實施例的發光器件的側視截面圖。

圖2是示出圖1的發光器件的平面圖。

圖3是示出根據第一實施例的發光器件中的反射構件和第二電極的不同形成結構的放大圖。

圖4至圖14是示出根據第一實施例的制造該發光器件的工藝的視圖。

圖15是根據第二實施例的發光器件的側視截面圖。

圖16是示出圖15的發光器件的平面圖。

圖17是根據第三實施例的發光器件的側視截面圖。

圖18是根據第四實施例的發光器件的側視截面圖。

圖19是根據一實施例的包括發光器件的、發光器件封裝的截面圖。

圖20是根據一實施例的顯示裝置的分解透視圖。

圖21是根據一實施例的顯示裝置的視圖。

圖22是根據一實施例的照明裝置的透視圖。

具體實施方式