[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201410305307.2
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN104795370A
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發明（設計）人: 三宅英太郎
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 夏斌

本申請享受以日本專利申請2014-8769號(申請日：2014年1月21日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種半導體裝置。

背景技術

壓力接觸型半導體裝置為了對較大的電流進行開關而在內部具有半導體芯片。半導體芯片對大電流進行開關，因此在破損時有時會伴隨著高溫而進行噴出。在這種情況下，不僅是半導體芯片，構成壓力接觸型半導體裝置的半導體芯片的周邊部件也同樣會破裂或者爆炸，有時其碎片會朝向外部噴出。

發明內容

本發明提供一種半導體裝置，能夠抑制半導體芯片以及半導體芯片的周邊部件的碎片朝向外部噴出。

本發明實施方式的半導體裝置具備半導體芯片，該半導體芯片包括第一端子面以及位于該第一端子面的相反側的第二端子面。絕緣部包圍半導體芯片的側面的外周。金屬部配置于半導體芯片的側面與絕緣部的內側面之間。

附圖說明

圖1是表示本發明實施方式的半導體裝置100的構成的一例的截面圖以及立體圖。

圖2是表示金屬防爆部70的構成的一例的立體圖。

圖3是表示金屬防爆部70以及絕緣緩沖部80的構成的一例的立體圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。本實施方式并不限定本發明。

圖1(A)以及圖1(B)是表示本實施方式的半導體裝置100的構成的一例的截面圖以及立體圖。半導體裝置100并無特別限定，但例如是變電設備或者電車等所使用的壓力接觸型半導體裝置，用于對大電流(例如2000A以上)進行開關。

半導體裝置100具備半導體芯片10、緩沖部21、22、電極部31、32、連接部41、42、密封部50、絕緣部60、金屬防爆部70、絕緣緩沖部80以及絕緣保護部90。

半導體芯片10是對電流進行開關的元件，例如具備形成于硅基板的晶體管(未圖示)。半導體芯片10的上表面以及背面成為端子對，從上表面側向背面側流動電流或者從背面側向上表面側流動電流。例如，半導體芯片10的上表面作為第一端子面而被施加高電壓。另一方面，半導體芯片10的背面作為第二端子面而被維持為接地電位。另外，省略半導體芯片10的柵極。此外，接地電位并不是指電路整體的基準(0V)，而是表示元件的基準電位(柵極電位的基準)。

在半導體芯片10的上表面設置有緩沖部21。在半導體芯片10的背面設置有緩沖部22。設置緩沖部21、22是為了在對半導體裝置100的電極部31、32進行壓力接觸時、緩和半導體芯片10承受的來自電極部31、32的熱應力。緩沖部21、22為了將半導體芯片10與電極部31、32之間進行電連接而例如使用鉬等導電性金屬來形成。

在緩沖部21上設置有電極部31。在緩沖部22之下設置有電極部32。電極部31經由緩沖部21與半導體芯片10的上表面(第一端子面)電連接。電極部32經由緩沖部32與半導體芯片10的背面(第二端子面)電連接。電極部31、32例如使用銅等導電性金屬來形成。

在電極部31的周緣設置有連接部41。在電極部32的周緣設置有連接部42。連接部41設置于電極部31與密封部50或者絕緣部60之間。連接部42設置于電極部32與絕緣部60之間。設置連接部41、42是為了在使電極部31、32的表面或者背面向外部露出的同時、對由絕緣部60包圍的半導體芯片10等內部構成進行密閉。連接部41、42優選為機械強度較高且熔點較高的導電性金屬。例如，連接部41使用銅來形成。連接部42使用鐵以及鎳的合金來形成。由于連接部42為導電性材料，因此能夠將金屬防爆部70與電極部32電連接。

在連接部41與連接部42之間設置有絕緣部60。絕緣部60被設置成包圍半導體芯片10的側面的外周。如圖1(B)所示，絕緣部60具有圓筒形狀，例如使用陶瓷等絕緣材料來形成。絕緣部60與連接部41、42一起對半導體芯片10進行密閉。此外，設置絕緣部60是為了對連接部41與連接部42之間以及電極部31與電極部32之間進行絕緣。

金屬防爆部70配置于半導體芯片10的側面與絕緣部60的內側面之間。金屬防爆部70包圍半導體芯片10的周圍。在半導體芯片10破損或者破裂時，金屬防爆部70抑制半導體芯片10的碎片或者絕緣部60的碎片等向半導體裝置100的外部噴出(飛散)。