[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201410304861.9
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN104779289A
• 公開（公告）日: 2015-07-15
• 發明（設計）人: 小野昇太郎;泉沢優;浦秀幸;山下浩明
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/36;H01L29/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 許海蘭

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

漏電極；

源電極；

第1導電類型的第1半導體層，設置于所述漏電極與所述源電極之間；

多個第1導電類型的第2半導體層，設置于所述第1半導體層與所述源電極之間，該第2半導體層的第1導電類型的雜質濃度高于所述第1半導體層；

多個第2導電類型的第3半導體層，該第3半導體層的所述漏電極側的端部處于所述第1半導體層，該第3半導體層與所述第1半導體層以及所述第2半導體層相接地被設置；

多個第2導電類型的第4半導體層，設置于所述第2半導體層以及所述第3半導體層與所述源電極之間；

第1導電類型的第5半導體層，設置于所述第4半導體層與所述源電極之間，該第5半導體層的第1導電類型的雜質濃度高于所述第2半導體層；

場板電極，被所述第2半導體層夾持，并在與所述第2半導體層之間隔著第1絕緣膜被設置；以及

柵電極，在與所述第4半導體層之間，隔著膜厚比所述第1絕緣膜薄的第2絕緣膜被設置。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1半導體層與所述第2半導體層的邊界在將所述第3半導體層與所述第1絕緣膜的距離設為d的情況下，相比于從所述第1絕緣膜的所述漏電極側的端部向所述漏電極側離開了距離d的位置，處于更靠近所述源電極側。

3.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述場板電極和所述柵電極電氣地分離，所述場板電極和所述源電極電氣地導通。

4.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第3半導體層的圖案和所述場板電極的圖案的各個是條狀的圖案，所述第3半導體層的圖案和所述場板電極的圖案正交。

5.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，還具備：

第2導電類型的第6半導體層，設置于所述第4半導體層與所述源電極之間，該第6半導體層的第2導電類型的雜質濃度高于所述第4半導體層；以及

第1導電類型的半導體基板，設置于所述漏電極與所述第1半導體層之間，該半導體基板的第1導電類型的雜質濃度高于所述第1半導體層。