[發(fā)明專利]半導體器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410303075.7 | 申請日： | 2014-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN104882423A | 公開（公告）日： | 2015-09-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 松岡信孝 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L23/40 | 分類號： | H01L23/40;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人： | 金光華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，具備：
半導體芯片；
封裝，包圍所述半導體芯片；
第1電極端子，在所述封裝的上側(cè)，上端部與所述封裝的上表面一致或者從所述上表面突出而露出，在所述封裝的下側(cè)，下端部與所述封裝的下表面一致或者從所述下表面突出而露出；以及
第2電極端子，在所述封裝的上側(cè)，上端部與所述上表面一致或者從所述上表面突出而露出，在所述封裝的下側(cè)，下端部與所述下表面一致或者從所述下表面突出而露出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，
在所述封裝的側(cè)方，所述第1以及所述第2電極端子與所述封裝的側(cè)面一致或者從側(cè)面突出而露出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導體器件，其特征在于，
在所述第1電極端子的上端或者下端中的一方設(shè)置了凹部，在另一方設(shè)置了凸部，
在所述第2電極端子的上端或者下端中的一方設(shè)置了凹部，在另一方設(shè)置了凸部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導體器件，其特征在于，
所述第1以及第2電極端子具有從電極端子的上端貫通至下端的貫通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導體器件，其特征在于，
所述封裝是樹脂。
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