[發(fā)明專利]襯底處理裝置、半導體器件的制造方法及流量監(jiān)視方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410302788.1
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104253073B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 川崎潤一;船倉滿
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 陳偉,李文嶼

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在襯底處理裝置、半導體器件的制造方法以及流量監(jiān)視方法中收容襯底的襯底收容器。

背景技術(shù)

以往，作為襯底處理裝置的一種的半導體制造裝置實施襯底處理工序，所述襯底處理工序作為DRAM、IC等器件的制造工序的一個工序，基于定義了處理條件和處理步驟的制程(工藝制程)來處理襯底(以下稱為晶片)。在這種襯底處理裝置中，在將多個晶片移載于襯底保持件(以下稱為舟皿)的狀態(tài)下將其裝入處理爐內(nèi)，并實施規(guī)定的處理。該情況下，在設(shè)于處理爐下部的移載室中，由于在將晶片移載至舟皿的狀態(tài)下等待處理的開始和結(jié)束，存在大氣中的氧氣(O₂)對熱處理前或者熱處理后的晶片產(chǎn)生影響的情況。因此，設(shè)置對移載室內(nèi)部進行N₂置換的機構(gòu)，并將O₂濃度管理為低于規(guī)定值。

在該半導體制造裝置中，成為處理對象的襯底被收納于作為襯底收容器的FOUP(front opening unified pod：前開口一體化盒)內(nèi)，并送入載置部(以下稱為裝載端口)。在使用FOUP的情況下，由于在將晶片密封的狀態(tài)下輸送晶片，所以即使在周圍的環(huán)境氣體中存在顆粒等，也能夠維持晶片的潔凈度。

然而，雖然作為襯底收容器的FOUP為密閉容器，但由于其沒有完全防止外部空氣的流入流出的程度的性能，所以即使在裝置送入時為理想狀態(tài)(例如規(guī)定的O₂濃度以下)，在裝置送出時之前，隨著時間經(jīng)過，氧氣(O₂)濃度上升。因此，為了將FOUP內(nèi)的O₂濃度保持為恒定，在裝置內(nèi)配置有FOUP期間，需要實施利用N₂氣體的凈化處理。例如，根據(jù)專利文獻1，公開了FOUP載置于盒體架時供給惰性氣體的結(jié)構(gòu)。

在先技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2000-340641號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明的目的在于通過監(jiān)視供給到襯底收容器內(nèi)的惰性氣體的流量，減輕襯底收容器內(nèi)的環(huán)境氣體變化對襯底的影響。

用于解決問題的手段

根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，提供一種襯底處理裝置，包括：

氣體供給部，設(shè)于配置襯底收容器的載置部和收納部中的至少一方，并用于供給規(guī)定氣體；

監(jiān)視部，比較經(jīng)由所述氣體供給部供給到所述襯底收容器的所述規(guī)定的氣體的流量與預先設(shè)定的基準值，并輸出表示比較結(jié)果的信號；以及

管理部，根據(jù)從所述監(jiān)視部輸出的所述信號來管理所述襯底收容器的輸送狀態(tài)。

本發(fā)明的其他實施方式提供一種半導體器件的制造方法，包括：

從設(shè)于載置部和收納部中的至少一方的氣體供給部向襯底收容器供給規(guī)定的氣體的工序；

比較經(jīng)由所述氣體供給部供給到所述襯底收容器的所述規(guī)定的氣體的流量與預先設(shè)定的基準值，并輸出表示比較結(jié)果的信號的工序；

根據(jù)所述輸出的所述信號來管理所述襯底收容器的輸送狀態(tài)的工序；以及

將被管理了所述輸送狀態(tài)的所述襯底收容器的襯底輸送到處理室中進行處理的工序。

本發(fā)明的又一其他實施方式提供一種流量監(jiān)視方法，包括：

比較載置于所述載置部和所述收納部中的至少一方的狀態(tài)下供給到襯底收容器內(nèi)的氣體流量與預先設(shè)定的基準值，在比較結(jié)果小于所述基準值的情況下輸出表示流量異常的信號的工序；

異常指定工序，在低于所述基準值的狀態(tài)下，當超過了規(guī)定的監(jiān)視時間時，進行輸出將所述襯底收容器指定為異常的信號的處理；以及

在低于所述基準值的狀態(tài)下，當未超過規(guī)定的監(jiān)視時間且所述氣體流量變得高于所述基準值時，輸出表示異?；謴偷男盘柕墓ば颉?/p>

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明的襯底處理裝置、半導體器件的制造方法及流量監(jiān)視方法，從襯底收容器被送入裝置內(nèi)時直到被送出裝置外期間，通過監(jiān)視供給到所述襯底收容器內(nèi)的惰性氣體的流量，將所述襯底收容器內(nèi)的環(huán)境氣體變化對襯底的影響抑制為較低。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一實施方式的襯底處理系統(tǒng)的概要結(jié)構(gòu)圖。

圖2是本發(fā)明一實施方式的襯底處理裝置的斜透視圖。

圖3是本發(fā)明一實施方式的襯底處理裝置的側(cè)面透視圖。

圖4是本發(fā)明一實施方式的襯底處理裝置的處理爐的縱剖視圖。

圖5是本發(fā)明一實施方式的襯底處理裝置的控制器結(jié)構(gòu)圖。