[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備、具有其的存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其讀取方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410301698.0
• 申請(qǐng)日: 2014-06-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104252880B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 南尚完;樸起臺(tái);樸賢郁;李栽均
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C16/06
• 分類號(hào): G11C16/06;G11C16/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 金玉潔

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2013年6月27日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局遞交的10-2013-0074576號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)和2014年4月1日在美國(guó)專利商標(biāo)局遞交的14/242332號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，這里通過(guò)引用將它們的公開(kāi)內(nèi)容全部并入。

技術(shù)領(lǐng)域

發(fā)明構(gòu)思涉及非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備、包括該非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的存儲(chǔ)器系統(tǒng)以及該存儲(chǔ)器系統(tǒng)的讀取方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備可以是易失性的或非易失性的。非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備即使在未被加電時(shí)也可保持存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備可以是永久的或者可再編程的。非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備可用于計(jì)算機(jī)、航空電子、電信和消費(fèi)性電子產(chǎn)業(yè)中的很多種應(yīng)用中的用戶數(shù)據(jù)、程序和微代碼存儲(chǔ)。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例提供了一種讀取非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的方法，包括：向非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的被選字線施加讀取電壓；向非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的未被選字線施加讀取通過(guò)(pass)電壓；感測(cè)連接到被選字線的存儲(chǔ)單元的狀態(tài)；以及在感測(cè)之后向被選字線施加讀取通過(guò)電壓。

該方法還包括釋放被選字線和未被選字線的讀取通過(guò)電壓。

讀取電壓包括第一電壓和第二電壓，并且第二電壓具有在第一電壓和讀取通過(guò)電壓之間的電平。

在向被選字線施加讀取通過(guò)電壓的同時(shí)，布置在被選字線與非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的串選擇線之間的未被選字線的電壓開(kāi)始被釋放。

在向被選字線施加讀取通過(guò)電壓之后，布置在被選字線與非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的地選擇線之間的未被選字線的電壓開(kāi)始被釋放。

布置在被選字線與非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的串選擇線之間的未被選字線包括第一字線組和第二字線組，并且第一字線組的電壓和第二字線組的電壓被順序地釋放。

第一字線組的電壓和第二字線組的電壓彼此不同。

該方法還包括釋放非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的被選串選擇線或被選地選擇線的電壓。

該方法還包括：在感測(cè)之后向非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的未被選串選擇線施加讀取通過(guò)電壓；以及釋放未被選串選擇線的讀取通過(guò)電壓。

該方法還包括：在感測(cè)之前向非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的未被選串選擇線施加讀取通過(guò)電壓；以及釋放未被選串選擇線的讀取通過(guò)電壓。

該方法還包括：在感測(cè)之前向被選字線施加讀取通過(guò)電壓；以及在感測(cè)之前釋放被選字線的讀取通過(guò)電壓。

發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例提供了一種讀取非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的方法，包括：向非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的被選字線施加讀取電壓；向非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的未被選字線施加讀取通過(guò)電壓；感測(cè)連接到被選字線的存儲(chǔ)單元的狀態(tài)；以及在感測(cè)之后向被選字線施加接通電壓。

向未被選字線施加多個(gè)不同的讀取通過(guò)電壓。

該方法還包括釋放未被選字線和被選字線的電壓。

未被選字線的電壓被順序地釋放。

發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例提供了一種讀取非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的方法，包括：向非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的被選字線施加讀取電壓；向非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的未被選字線施加讀取通過(guò)電壓；感測(cè)連接到被選字線的存儲(chǔ)單元的狀態(tài)；以及在感測(cè)之后并且在向未被選字線施加讀取通過(guò)電壓的同時(shí)向被選字線施加接通電壓，其中，在向被選字線施加接通電壓的同時(shí)，布置在被選字線與非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的串選擇線之間的未被選字線的電壓開(kāi)始被釋放。

根據(jù)非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的健康信息向被選字線施加接通電壓。

健康信息包括存儲(chǔ)單元的劣化的水平、編程/擦除循環(huán)信息、耗損平衡信息或者由差錯(cuò)檢驗(yàn)和糾正檢測(cè)到的差錯(cuò)的數(shù)目。

當(dāng)被讀取請(qǐng)求的存儲(chǔ)塊的編程/擦除循環(huán)值大于預(yù)定值時(shí)，向被選字線施加接通電壓。

未被選字線被排列在多個(gè)分區(qū)中，并且分區(qū)的電壓被從靠近串選擇線的分區(qū)到靠近非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的地選擇線的分區(qū)順序地釋放。

發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括：存儲(chǔ)器控制器，被配置為輸出免干擾讀取模式信息；以及非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，被配置為對(duì)連接到被選字線的存儲(chǔ)單元編程，對(duì)連接到被選字線的存儲(chǔ)單元執(zhí)行驗(yàn)證讀取操作，并且響應(yīng)于免干擾讀取模式信息，在讀取通過(guò)電壓被施加到未被選字線的同時(shí)向被選字線施加接通電壓。

存儲(chǔ)器控制器在被讀取請(qǐng)求的存儲(chǔ)塊的編程/擦除循環(huán)值大于預(yù)定值時(shí)生成免干擾讀取模式信息。

字線在襯底與位線之間堆疊在彼此之上。

非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備是垂直NAND閃速存儲(chǔ)器。