[發(fā)明專利]非易失性存儲器設(shè)備、具有其的存儲器系統(tǒng)及其讀取方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410301698.0
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104252880B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 南尚完;樸起臺;樸賢郁;李栽均
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 金玉潔

1.一種讀取非易失性存儲器設(shè)備的方法，包括：

向所述非易失性存儲器設(shè)備的被選字線施加讀取電壓；

向所述非易失性存儲器設(shè)備的未被選字線施加讀取通過電壓；

感測連接到所述被選字線的存儲單元的狀態(tài)；以及

在所述感測之后向所述被選字線施加所述讀取通過電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括釋放所述被選字線和所述未被選字線的讀取通過電壓。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述讀取電壓包括第一電壓和第二電壓，并且所述第二電壓具有在所述第一電壓和所述讀取通過電壓之間的電平。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在向所述被選字線施加所述讀取通過電壓的同時，布置在所述被選字線與所述非易失性存儲器設(shè)備的串選擇線之間的未被選字線的電壓開始被釋放。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，在向所述被選字線施加所述讀取通過電壓之后，布置在所述被選字線與所述非易失性存儲器設(shè)備的地選擇線之間的未被選字線的電壓開始被釋放。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，布置在所述被選字線與所述非易失性存儲器設(shè)備的串選擇線之間的未被選字線包括第一字線組和第二字線組，并且所述第一字線組的電壓和所述第二字線組的電壓被順序地釋放。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第一字線組的電壓和所述第二字線組的電壓彼此不同。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括釋放所述非易失性存儲器設(shè)備的被選串選擇線或被選地選擇線的電壓。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述感測之后向所述非易失性存儲器設(shè)備的未被選串選擇線施加所述讀取通過電壓；以及

釋放所述未被選串選擇線的讀取通過電壓。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述感測之前向所述非易失性存儲器設(shè)備的未被選串選擇線施加所述讀取通過電壓；以及

釋放所述未被選串選擇線的讀取通過電壓。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述感測之前向所述被選字線施加所述讀取通過電壓；以及

在所述感測之前釋放所述被選字線的讀取通過電壓。

12.一種讀取非易失性存儲器設(shè)備的方法，包括：

向所述非易失性存儲器設(shè)備的被選字線施加讀取電壓；

向所述非易失性存儲器設(shè)備的未被選字線施加讀取通過電壓；

感測連接到所述被選字線的存儲單元的狀態(tài)；以及

在所述感測之后向所述被選字線施加接通電壓。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，向所述未被選字線施加多個不同的讀取通過電壓。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括釋放所述未被選字線和所述被選字線的電壓。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述未被選字線的電壓被順序地釋放。

16.一種讀取非易失性存儲器設(shè)備的方法，包括：

向所述非易失性存儲器設(shè)備的被選字線施加讀取電壓；

向所述非易失性存儲器設(shè)備的未被選字線施加讀取通過電壓；

感測連接到所述被選字線的存儲單元的狀態(tài)；以及

在所述感測之后并且在向所述未被選字線施加所述讀取通過電壓的同時向所述被選字線施加接通電壓，

其中，在向所述被選字線施加所述接通電壓的同時，布置在所述被選字線與所述非易失性存儲器設(shè)備的串選擇線之間的未被選字線的電壓開始被釋放。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，根據(jù)所述非易失性存儲器設(shè)備的健康信息向所述被選字線施加所述接通電壓。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述健康信息包括存儲單元的劣化的水平、編程/擦除循環(huán)信息、耗損平衡信息、或者由差錯檢驗和糾正檢測到的差錯的數(shù)目。

19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，當被請求讀取的存儲塊的編程/擦除循環(huán)值大于預(yù)定值時，向所述被選字線施加所述接通電壓。