[發明專利]類石墨烯氫氧化鈷納米薄膜的水熱制備法

有效

• 申請號: 201410301297.5
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104064372B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 鄧意達;馮超;胡文彬;陳亞瓊;王浩然;張金鳳;萬磊
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: H01G11/86
• 分類號: H01G11/86
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司31236
• 代理人: 牛山,陳少凌

1.一種類石墨烯氫氧化鈷納米薄膜的水熱制備法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

步驟一、分別稱取水合鈷鹽、鈉鹽在去離子水中溶解，得到50～200g/L鈷鹽溶液、10～80g/L鈉鹽溶液，并量取質量濃度為28％的氨水待用；

步驟二、取等體積的所述鈷鹽溶液、鈉鹽溶液混合，進行恒溫水浴加熱，攪拌，使加熱均勻；

步驟三、將所述氨水加入步驟二得到的混合溶液中，攪拌反應10～15min，得到含有鈉鹽的鈷氨配合物溶液；

步驟四、將混合溶液轉入密封罐體中，在密封、高壓的條件下，對所述含有鈉鹽的鈷氨配合物溶液進行水熱處理，得到粉紅色沉淀；

步驟五：將所述粉紅色沉淀依次經去離子水、無水乙醇洗滌，空氣氣氛下干燥，得到所述類石墨烯氫氧化鈷納米薄膜；

所述水合鈷鹽為醋酸鈷，所述鈉鹽為醋酸鈉；或所述水合鈷鹽為硝酸鈷，所述鈉鹽為硝酸鈉；或所述水合鈷鹽為硫酸鈷，所述鈉鹽為硫酸鈉；

所述水熱處理的溫度為100～150℃，時間為6～12小時。

2.根據權利要求1所述的類石墨烯氫氧化鈷納米薄膜的水熱制備法，其特征在于，所述恒溫水浴的溫度為40～60℃，時間為5～10min。

3.根據權利要求1所述的類石墨烯氫氧化鈷納米薄膜的水熱制備法，其特征在于，步驟三中，所述加入氨水的體積為步驟二中鈷鹽溶液體積的0～4％；所述攪拌采用電動攪拌裝置進行，所述裝置的轉速為200～500轉/分。

4.根據權利要求1所述的類石墨烯氫氧化鈷納米薄膜的水熱制備法，其特征在于步驟五中，所述干燥溫度為60～90℃。

5.一種根據權利要求1所述的水熱制備法制得的類石墨烯氫氧化鈷納米薄膜在制備電極片中的用途，其特征在于，將所述類石墨烯氫氧化鈷納米膜與導電劑和粘結劑混合，充分攪拌后得到漿料；將所述漿料均勻刮凃于預處理后的泡沫鎳上，干燥，壓片，即得所述電極片。

6.根據權利要求5所述的用途，其特征在于，所述類石墨烯氫氧化鈷納米膜、導電劑和粘結劑的質量比為1:0.125～0.3:0.12～0.3；所述導電劑為多孔活性炭或者乙炔黑，所述粘結劑為PTFE乙醇溶液。

7.根據權利要求5所述的用途，其特征在于，所述干燥溫度為50～80℃，所述壓片時壓力為10～20MPa。