[發明專利]一種微流控芯片的封裝方法

在審

• 申請號: 201410300879.1
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN105268490A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 吳豐順;祝溫泊;夏衛生;劉輝;莫麗萍;陳光
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 梁鵬

技術領域

本發明屬于微觀結構封裝技術領域，更具體地，涉及一種微流控芯片的封裝方法。

背景技術

由于集成了多種分析功能，具有微通道結構的微流控芯片在生物、化學、醫藥等領域得到了廣泛應用。目前，微流控芯片的封裝一般采用膠水粘結、表面改性粘結、熱壓鍵合、超聲鍵合和激光互連等方法。然而這些封裝工藝存在如下不足：膠水粘結和熱壓工藝會損害或者堵塞微流道，影響微流控芯片的性能；表面改性粘結雖然可以實現無損互連，但其長期可靠性不佳；超聲鍵合對設備要求很高，必須具有足夠高的精度來保證超聲能量的集中，否則會造成芯片基體的損傷；而激光互連雖然可以實現快速可靠的互連，卻只能用來連接具有不同激光吸收系數的異種材料。因此，上述封裝方法的應用范圍有限，而為了在不損害微流道的情況下實現長期可靠的互連，就必須要對微流控器件的封裝技術進行優化。

發明內容

針對現有技術的缺陷，本發明提供了一種微流控芯片的封裝方法，旨在解決傳統的封裝工藝中微流道堵塞、芯片受損的問題，并提高互連的長期可靠性。

為實現上述目的，本發明提供了一種微流控芯片的封裝方法，用于對具有微通道結構的微米級別基片和與基片相層疊連接的蓋片進行封裝得到微流控芯片，其特征在于，包括下述步驟：

S1：根據微流控芯片上的圖案制備基片與蓋片；

S2：根據微流控芯片上的圖案制備與該圖案相同的自蔓延多層膜；

S3：分別將進行表面處理后的所述基片和所述蓋片層疊在所述自蔓延多層膜兩側面以形成封裝結構；

S4：對所述封裝結構施加壓力并引燃所述自蔓延多層膜，燃燒引起材料融化實現所述基片和所述蓋片的焊接固定以實現微流控芯片的封裝。

進一步的，所述基片與所述蓋片材料為無機非金屬材料、高分子材料或者金屬中的一種或者多種。

進一步的，在步驟S2中，所述自蔓延多層膜材料為Al-Ni合金、Ti-Al合金或Al-Si合金中的一種或者多種。

進一步的，在步驟S2中，所述自蔓延多層膜是通過沉積或濺射或沖壓工藝得到的鍍層或預成型片或預成型環中的一種或者多種。

進一步的，所述自蔓延多層膜的圖案通過在沉積或濺射或沖壓工藝過程中設置遮擋層的方法制備。

進一步的，在步驟S3中，所述的表面處理包括切割、研磨拋光的平整化工藝及清洗干燥的去污工藝的一種或者多種。

進一步的，在步驟S4中，壓強范圍為0.1～1MPa，施壓時間為1～10s。

進一步的，在步驟S4中，所述引燃的方式為電火花、激光或微波中一種或多種。

總體而言，通過與現有相比，本發明技術方案具有如下顯著的有益效果：

1、本發明采用自蔓延層燃燒使材料融化而對基片和蓋片進行焊接封裝，可適用于各種不同工藝制造的多種材料組合的微流控芯片的封裝互連，該封裝方法適用性強，可被廣泛使用。

2、本發明中由于自蔓延燃燒反應升降溫速度快、熱量集中、反應原材料及反應產物均為固體，因此不會損傷或堵塞微通道，提高了微流控芯片封裝過程中的成品率，同時，反應中互連界面處的基體材料受熱熔化與反應產物形成可靠互連，提高了器件的長期可靠性。

3、本發明中封裝方法操作簡便，簡化了微流控芯片的生產工藝、降低了生產成本。

附圖說明

圖1是本發明實施例提供的微流控芯片的封裝方法流程圖；

圖2是本發明實施例提供的塑料微流控芯片的封裝結構示意圖；

圖3是本發明實施例提供的玻璃/硅晶圓微流控芯片的封裝結構示意圖；

圖4是本發明實施例提供的高分子/金屬微流控芯片的封裝結構示意圖。

在所有附圖中，相同的附圖標記用來表示相同的元件或結構，其中：

1-塑料基片，2-塑料蓋片，3-塑料基片上的微通道結構，4-自蔓延多層膜環，5-玻璃蓋片，6-硅晶圓基片，7-硅晶圓基片上的微通道結構，8-過渡金屬化層，9-釬料層，10-自蔓延多層膜，11-金屬基片，12-金屬基片上的微通道結構，13-高分子蓋片，14-圖案與金屬基片微通道結構相同的自蔓延多層膜。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。此外，下面所描述的本發明各個實施方式中所涉及到的技術特征只要彼此之間未構成沖突就可以相互組合。