[發明專利]一種微流控芯片的封裝方法

在審

• 申請號: 201410300879.1
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN105268490A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 吳豐順;祝溫泊;夏衛生;劉輝;莫麗萍;陳光
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 梁鵬

1.一種微流控芯片的封裝方法，其特征在于，用于對具有微通道結構的微米級別基片和與基片相層疊連接的蓋片進行封裝得到微流控芯片，包括下述步驟：

S1：根據微流控芯片上的圖案制備基片與蓋片；

S2：根據微流控芯片上的圖案制備與該圖案相同的自蔓延多層膜；

S3：將進行表面處理后的所述基片和所述蓋片分別層疊在所述自蔓延多層膜兩側面以形成封裝結構；

S4：對所述封裝結構施加壓力并引燃所述自蔓延多層膜，燃燒引起材料融化使所述基片和所述蓋片相焊接固定以實現微流控芯片的封裝。

2.如權利要求1所述的一種微流控芯片的封裝方法，其特征在于，所述基片與所述蓋片的材料為無機非金屬材料、高分子材料或者金屬中的一種或者多種。

3.如權利要求1或2所述的一種微流控芯片的封裝方法，其特征在于，在步驟S2中，所述自蔓延多層膜材料為Al-Ni合金、Ti-Al合金和Al-Si合金中的一種或者多種。

4.如權利要求1-3之一所述的封裝方法，其特征在于，在步驟S2中，所述自蔓延多層膜是通過沉積或濺射或沖壓工藝得到的鍍層或預成型片或預成型環中的一種或者多種。

5.如權利要求1-4之一所述的封裝方法，其特征在于，在步驟S2中，所述自蔓延多層膜的圖案通過在沉積或濺射或沖壓工藝過程中設置遮擋層的方法制備。

6.如權利要求1-5之一所述的封裝方法，其特征在于，在步驟S3中，所述的表面處理包括平整化工藝和去污干燥工藝的一種或者多種，其中，平整化工藝包括切割和研磨拋光的一種或者多種。

7.如權利要求1-6之一所述的封裝方法，其特征在于，在步驟S4中，壓強范圍為0.1～1Mpa。

8.如權利要求1-7之一所述的封裝方法，其特征在于，在步驟S4中，施壓時間為1～10s。

9.如權利要求1-8之一所述的封裝方法，其特征在于，在步驟S4中，所述引燃方式為電火花、激光和微波中一種或多種。