[發明專利]用于嵌入式管芯的封裝組件及相關聯的技術和配置有效
| 申請號: | 201410299475.5 | 申請日: | 2014-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN104253116B | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發明(設計)人: | T·首藤 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L25/065 | 分類號: | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/538;H01L21/98 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 何焜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 嵌入式 管芯 封裝 組件 相關 技術 配置 | ||
技術領域
本公開的實施例一般涉及集成電路的領域,并且更具體地,涉及用于嵌入式管芯的封裝組件及相關聯的技術和配置。
技術背景
目前,集成電路(IC)封裝組件可包括層疊封裝(PoP)配置,其中第一封裝襯底利用設置在第一和第二封裝襯底之間的插入器與第二封裝襯底耦合。例如,第一封裝襯底可以是用于處理器的薄無芯襯底以及第二封裝襯底可用于存儲器部件,并且第一和第二封裝襯底每個可利用微焊球與插入器耦合。例如,利用插入器所得到的PoP結構可具有限制在小形狀因素設備(諸如,繼續縮小至更小尺寸的移動計算設備)中實現PoP結構的高度(例如,z-高度)。
而且,在組裝過程(諸如,焊球回流、管芯附連、和/或插入器附連操作)中,薄無芯襯底由于缺乏結構剛性可能需要固定夾具(fixture jig)來處理襯底。使用固定夾具可增加組裝成本和復雜度。此外,在一些情況下,高溫(例如,~260℃)熱處理可用于利用可焊接材料使管芯與襯底耦合,這可導致由于管芯和襯底之間的熱膨脹(CTE)的系數的差異引起的熱應力有關的缺陷(例如,翹曲)。
附圖簡述
通過結合附圖的以下詳細描述將容易理解多個實施例。為了便于該描述,相同的附圖標記指示相同結構的元件。在附圖的多個圖中通過示例而非作為限制地說明多個實施例。
圖1示意性地示出了根據一些實施例的示例集成電路(IC)封裝組件的截面側視圖。
圖2a-h示意性地示出了根據一些實施例的制造示例IC封裝組件的多個階段。
圖3示意性地示出了根據一些實施例的另一示例IC封裝組件的截面側視圖。
圖4示意性地示出了根據一些實施例的又一示例IC封裝組件的截面側視圖。
圖5示意性地示出了根據一些實施例的又一示例IC封裝組件的截面側視圖。
圖6示意性地示出了根據一些實施例的再一示例IC封裝組件的截面側視圖。
圖7示意性地示出了根據一些實施例的用于制造IC封裝組件的方法的流程圖。
圖8示意性地示出了根據一些實施例的計算機設備,該計算機設備包括本文所描述的IC封裝組件。
詳細描述
本公開的實施例提供了一種用于嵌入式管芯的封裝組件和相關聯的技術和配置。在以下描述中,將使用本領域技術人員所通常使用的術語來描述示例性實現的各個方面,以向其他本領域技術人員傳達它們的工作的實質。然而,對本領域技術人員將顯而易見的是,僅采用所描述方面中的一些也可實施本公開的實施例。為了說明的目的,陳述具體的數字、材料和配置以提供對示例性實現的全面理解。然而,本領域技術人員將可理解,沒有這些特定細節也可實施本公開的實施例。在其他實例中,省略或簡化已知特征以不模糊示例性實現。
在以下詳細描述中,參照形成本說明書的一部分的附圖,其中在全部附圖中相同的標記指示相同的部件,并且在附圖中以可實施本發明的主題的示例實施例的方式顯示。將理解,可利用其它實施例,且可做出結構上或邏輯上的改變,而不偏離本公開的范圍。因此,以下詳細描述不應按照限制性意義來理解,且多個實施例的范圍由所附權利要求及其等價方案來限定。
為了本公開的目的,短語“A和/或B”表示(A)、(B)或(A和B)。為了本公開的目的,短語“A、B和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。
說明書可使用基于視角的描述,諸如頂部/底部、內/外、上/下等等。這種描述僅用于便于討論并且不旨在將本文所描述的實施例的應用限制在任何特定方向。
說明書可使用短語“在實施例中”或“在多個實施例中”,它們均可表示相同或不同實施例中的一個或多個。此外,有關本公開的多個實施例使用的術語“包括”、“包含”、“具有”等等是同義的。
本文可使用術語“與…耦合”及其派生詞。“耦合”可表示以下一個或多個。“耦合”可表示兩個或多個元件直接物理或電氣接觸。然而,“耦合”還可表示兩個或多個元件彼此間接接觸,但仍彼此協作或交互,以及可表示一個或多個其他元件被耦合或連接在所述將彼此耦合的元件之間。術語“直接耦合”可表示兩個或多個元件直接接觸。
在各個實施例中,短語“在第二特征上形成、沉積或以其他方式設置”,可表示第一特征被形成、沉積、或設置在第二特征之上,并且第一特征的至少一部分可與第二特征的至少一部分直接接觸(例如,直接物理和/或電接觸)或間接接觸(在第一特征和第二特征之間具有一個或多個其他特征)。
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