[發(fā)明專利]用于嵌入式管芯的封裝組件及相關(guān)聯(lián)的技術(shù)和配置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410299475.5 | 申請日: | 2014-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN104253116B | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | T·首藤 | 申請(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L25/065 | 分類號: | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/538;H01L21/98 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人: | 何焜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 嵌入式 管芯 封裝 組件 相關(guān) 技術(shù) 配置 | ||
1.一種封裝組件,包括:
管芯附連層;
與管芯附連層耦合的管芯,所述管芯具有包括管芯的有源器件的有源側(cè)和與所述有源側(cè)相對設(shè)置的無源側(cè);
與所述管芯附連層耦合的增強(qiáng)板,所述增強(qiáng)板具有第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對設(shè)置的第二側(cè)和設(shè)置在所述增強(qiáng)板中的腔;以及
與所述增強(qiáng)板的第二側(cè)耦合的一個(gè)或多個(gè)構(gòu)建層,所述一個(gè)或多個(gè)構(gòu)建層包括絕緣體和設(shè)置在絕緣體中的導(dǎo)電特征,所述導(dǎo)電特征與所述管芯電耦合,其中所述管芯的無源側(cè)與所述管芯附連層直接接觸,所述增強(qiáng)板的第一側(cè)與所述管芯附連層直接接觸,并且所述管芯設(shè)置在所述腔中。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝組件,其特征在于,進(jìn)一步包括:
設(shè)置在腔中并且至少部分地密封管芯的有源側(cè)的管芯密封材料,其中所述管芯通過通孔結(jié)構(gòu)與一個(gè)或多個(gè)構(gòu)建層的電路由特征電耦合,所述通孔結(jié)構(gòu)穿過所述管芯密封材料延伸。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝組件,其特征在于:
所述管芯密封材料包括設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)構(gòu)建層和增強(qiáng)板之間的疊層的預(yù)浸材料,所述疊層與所述增強(qiáng)板的第二側(cè)直接接觸;以及
所述管芯的厚度小于從增強(qiáng)板的第一側(cè)到第二側(cè)測量的增強(qiáng)板的厚度。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝組件,其特征在于,所述管芯為第一管芯,所述封裝組件進(jìn)一步包括與第一管芯電耦合的第二管芯。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝組件,其特征在于:
所述第二管芯通過所述一個(gè)或多個(gè)構(gòu)建層的電路由特征與所述第一管芯電耦合;以及
所述增強(qiáng)板包括鍍敷通孔PTH,所述鍍敷通孔配置成將所述第一管芯和第二管芯的電信號路由至通過管芯附連層與PTH耦合的封裝級互連。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝組件,其特征在于,所述一個(gè)或多個(gè)構(gòu)建層、增強(qiáng)板和管芯附連層是第一封裝襯底的一部分,以及所述封裝級互連是配置成將所述第一封裝襯底與所述電路板耦合的第一封裝級互連,所述封裝組件進(jìn)一步包括:
第二封裝襯底,所述第二封裝襯底利用第二封裝級互連與所述第一封裝襯底耦合;以及
第三管芯,所述第三管芯安裝在所述第二封裝襯底上或嵌入在第二封裝襯底中,所述第三管芯通過第二封裝級互連與第一封裝襯底電耦合,其中所述第二管芯設(shè)置在所述第一封裝襯底和第二封裝襯底之間。
7.如權(quán)利要求4所述的封裝組件,其特征在于:
所述第一管芯包括設(shè)置在所述第一管芯的有源側(cè)和無源側(cè)之間的硅通孔TSV;以及
所述第二管芯利用穿過所述管芯附連層延伸的互連通過所述第一管芯的無源側(cè)與所述TSV電耦合。
8.如權(quán)利要求1所述的封裝組件,其特征在于,所述一個(gè)或多個(gè)構(gòu)建層、增強(qiáng)板和管芯附連層是第一封裝襯底的一部分,所述封裝組件進(jìn)一步包括:
第一封裝封裝級互連,所述第一封裝封裝級互連配置成將所述第一封裝襯底與電路板耦合;
第二封裝襯底,所述第二封裝襯底利用第二封裝級互連與所述第一封裝襯底耦合,所述第二封裝級互連配置成通過所述管芯附連層路由所述第一封裝襯底和第二封裝襯底之間的電信號;以及
第三管芯,所述第三管芯安裝在所述第二封裝襯底上或嵌入在所述第二封裝襯底中,所述第三管芯通過第二封裝級互連與所述第一封裝襯底電耦合。
9.如權(quán)利要求1-8中的任一項(xiàng)所述的封裝組件,其特征在于:
一個(gè)或多個(gè)構(gòu)建層由環(huán)氧材料組成;以及
所述增強(qiáng)板由具有玻璃纖維織物的環(huán)氧材料組成。
10.如權(quán)利要求1-8中的任一項(xiàng)所述的封裝組件,其特征在于,所述增強(qiáng)板包括配置成電耦合所述增強(qiáng)板的第一側(cè)和第二側(cè)的互連;以及
增強(qiáng)板由金屬芯組成,所述金屬芯具有設(shè)置在所述金屬芯上的電絕緣層以使金屬芯與所述增強(qiáng)板的互連電絕緣。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





