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[發明專利]一種倒裝LED芯片及其封裝方法無效

專利信息
申請號: 201410299452.4 申請日: 2014-06-26
公開(公告)號: CN104112809A 公開(公告)日: 2014-10-22
發明(設計)人: 韓蕊蕊;馬淑芳;梁建;田海軍;徐小紅;王金良 申請(專利權)人: 山西飛虹微納米光電科技有限公司
主分類號: H01L33/48 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 北京方圓嘉禾知識產權代理有限公司 11385 代理人: 董芙蓉
地址: 041600 山*** 國省代碼: 山西;14
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 倒裝 led 芯片 及其 封裝 方法
【說明書】:

技術領域

發明涉及一種倒裝LED芯片及其封裝方法,屬于LED半導體領域。

背景技術

目前的倒裝LED芯片,封裝步驟多,成本高,散熱效果不好。

發明內容

本發明涉及一種倒裝LED芯片,所述芯片包括依次疊加的透明襯底、N型GaN層、載流子復合層、P型GaN層;所述芯片的N電極和P電極與基板金屬連接點相連制成發光二極管。

本發明還提供一種倒裝LED芯片的封裝方法,其包括以下步驟:

1)采用U型圖案,刻蝕到N型GaN層,刻蝕深度約為0.5-2um;

2)在P面上蒸鍍ITO或Ni/Ag,厚度約0.1~0.2μm;

3)蒸鍍Gr、Al、Pt或Au中的一種或幾種作為導電層,厚度約為1.5~2μm;

4)蒸鍍SiO2絕緣層,厚度約為0.3~0.8μm;

5)蒸鍍Gr、Al、Pt或Au中的一種或幾種作為導電電極,并加厚電極,厚度約為1~2μm。

采用此倒裝LED芯片的制作方法,得到的倒裝芯片P電極和N電極可最大面積導通,并且將二者很好的絕緣開。制作得到的電極面積較大,可使得芯片與基板連接已操作,連接方式多樣且牢固,可以提高封裝效率。芯片與基板直接連接,減少了封裝步驟,節省成本。采用三種焊接方式,由于沒有金線焊墊阻擋,電流流通快,電阻小,產生的熱量低,能將熱量很快傳導到基板。采用的三種基板,熱傳導快,散熱效果好。基板上鋪好電路,可以封裝成一個或者多個發光器件,該封裝方法簡單,易于操作。外殼均勻旋涂熒光粉,安裝在發光器件外部,操作簡單,發光強度大。

附圖說明

通過參照附圖更詳細地描述本發明的示例性實施例,本發明的以上和其它方面及優點將變得更加易于清楚,在附圖中:

圖1為本發明的倒裝LED芯片制作過程示意圖;

圖2為本發明的倒裝LED封裝器件結構示意圖。

附圖標記:1、透明襯底;2、N型GaN層;3、載流子復合層;4、P型GaN層;5、絕緣層;6、P電極;7、N電極;8、金屬連接點;9、基板。

具體實施方式

在下文中,現在將參照附圖更充分地描述本發明,在附圖中示出了各種實施例。然而,本發明可以以許多不同的形式來實施,且不應該解釋為局限于在此闡述的實施例。相反,提供這些實施例使得本公開將是徹底和完全的,并將本發明的范圍充分地傳達給本領域技術人員。

在下文中,將參照附圖更詳細地描述本發明的示例性實施例。

參考附圖1-2,一種倒裝LED芯片,依次疊加的透明襯底、N型GaN層、載流子復合層、P型GaN層。經過一系列工藝制成的倒裝LED芯片的N電極和P

電極與基板金屬連接點相連制成發光二極管,將此發光二極管放至涂有熒光粉的外殼中就得到了發光器件。

一種倒裝LED芯片的封裝方法,其包括以下步驟:

1)采用U型圖案,刻蝕到N型GaN層,刻蝕深度約為0.5-2um;

2)在P面上蒸鍍ITO或Ni/Ag(黑色部分是有ITO或Ni/Ag,白色部分是沒有的),厚度約0.1~0.2μm;

3)蒸鍍Gr、Al、Pt或Au中的一種或幾種作為導電層(黑色部分是有蒸鍍金屬的部分,白色部分未蒸鍍金屬),厚度約為1.5~2μm;

4)蒸鍍SiO2絕緣層(黑色部分是有SiO2保護的地方,白色部分沒有),厚度約為0.3~0.8μm;

5)蒸鍍Gr、Al、Pt或Au中的一種或幾種作為導電電極,并加厚電極,厚度約為1~2μm。(黑色部分是有蒸鍍金屬的部分,左邊是N電極,右邊的是P電極,空白部分未蒸鍍)。

制作出來的倒裝LED芯片電極接觸面積大,電流擴散快,散熱效果好,易于后期封裝。

所述倒裝LED芯片置于基板金屬點上與基板相連,可通過三種方式:(1)覆晶方式(鉛錫球或者熱超聲覆晶);(2)焊錫方式;(3)焊錫合金方式。

所述基板有四種:(1)鋁基板;(2)碳纖維基板;(3)采用涂有碳納纖維材料的金屬的基板;(4)鉬合金基板。

所述基板已鋪好線路。基板上設有連接外部電路的電極(正、負極),并且有一個或多個芯片連接點,用于連接一個或多個倒裝LED芯片。

外殼直接均勻旋涂熒光粉,安裝在封裝器件外部,且外殼可選用長柱形、方形、圓形等多種外形。

以上所述僅為本發明的實施例而已,并不用于限制本發明。本發明可以有各種合適的更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發明的保護范圍之內。

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