[發(fā)明專利]石墨舟的清洗工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410299396.4 | 申請日: | 2014-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN104064503A | 公開(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 毛杰 | 申請(專利權)人: | 奉化拓升商貿有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 315599 浙江省奉化市岳*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 石墨 清洗 工藝 | ||
1.一種石墨舟的清洗工藝,其特征是,包括以下步驟:
(1)分解石墨舟;
(2)在氫氟酸溶液中對分解好的石墨舟進行第一次清洗;
(3)在清水中進行第二次清洗;
(4)在烘干爐中進行烘干;
(5)組裝石墨舟;
(6)在管式PECVD內對石墨舟進行飽和處理。
2.根據權利要求1所述的石墨舟的清洗工藝,其特征是,在步驟(2)和步驟(3)中均進行了持續(xù)的鼓泡,鼓泡氣壓在0.12-0.2Mpa之間。
3.根據權利要求2所述的石墨舟的清洗工藝,其特征是,步驟(2)中氫氟酸的濃度為10%,且該步驟中的清洗時間為2-3h。
4.根據權利要求3所述的石墨舟的清洗工藝,其特征是,步驟(3)中的清洗時間為1-2h。
5.根據權利要求4所述的石墨舟的清洗工藝,其特征是,步驟(4)中的烘干時間為8h。
6.根據權利要求4所述的石墨舟的清洗工藝,其特征是,步驟(6)為在400℃真空條件下進行2次射頻輝光,第一次輝光時間為2500s,間隔500s后進行第二次輝光,輝光時間為1800s。
7.根據權利要求6所述的石墨舟的清洗工藝,其特征是,步驟(6)中射頻輝光的頻射功率設為5000W,且使用了流量比為1∶9的氨氣和硫化氫。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





