[發明專利]石墨舟的清洗工藝在審
| 申請號: | 201410299396.4 | 申請日: | 2014-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN104064503A | 公開(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發明(設計)人: | 毛杰 | 申請(專利權)人: | 奉化拓升商貿有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 石墨 清洗 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及硅太陽能電池制造中的鍍膜工藝,尤其是涉及一種石墨舟的清洗工藝。
背景技術
在硅太陽能電池制造中的鍍膜工藝中,石墨舟的表面會隨著制程次數的增加而逐漸被侵蝕,當石墨舟使用次數多之后,會使沉積在電池片表面的SiN膜的差異性變大。因此,當使用次數達到100次以上之后,需要將石墨舟分解并清洗。
現有的石墨舟清洗過程耗費的時間較長,而且即使進行了清洗,在長時間使用之后,石墨舟的飽和效果也會變差,這會導致色差片增多,影響了產品的整體質量。
發明內容
本發明為了克服上述的不足,提供了一種清洗時間短,且提高了石墨舟飽和效果的石墨舟的清洗工藝。
本發明的技術方案如下:
一種石墨舟的清洗工藝,其特征是,包括以下步驟:
(1)分解石墨舟;
(2)在氫氟酸溶液中對分解好的石墨舟進行第一次清洗;
(3)在清水中進行第二次清洗;
(4)在烘干爐中進行烘干;
(5)組裝石墨舟;
(6)在管式PECVD內對石墨舟進行飽和處理。
在步驟(2)和步驟(3)中均進行了持續的鼓泡,鼓泡氣壓在0.12-0.2Mpa之間。
步驟(2)中氫氟酸的濃度為10%,且該步驟中的清洗時間為2-3h。
步驟(3)中的清洗時間為1-2h。
步驟(4)中的烘干時間為8h。
步驟(6)為在400℃真空條件下進行2次射頻輝光,第一次輝光時間為2500s,間隔500s后進行第二次輝光,輝光時間為1800s。
步驟(6)中射頻輝光的頻射功率設為5000W,且使用了流量比為1∶9的氨氣和硫化氫。
本發明的有益效果是:
本發明大大的減少了清洗用的時間,且石墨舟在進行飽和處理之后,能夠有效的減少色差片的數量,提高了產品的整體質量。
具體實施方式
本發明公開了一種石墨舟的清洗工藝。
實施例1
一種石墨舟的清洗工藝,其特征是,包括以下步驟:
(1)分解石墨舟;
(2)在濃度為10%氫氟酸溶液中對分解好的石墨舟進行3h清洗,清洗時,對溶液進行持續的鼓泡,鼓泡氣壓為0.12Mpa;
(3)在清水中進行2h的清洗,清洗時,同樣對清水進行持續的鼓泡,鼓泡氣壓為0.12Mpa;
(4)在烘干爐中烘干8h;
(5)組裝石墨舟;
(6)在管式PECVD內對石墨舟進行飽和處理。
其中,(6)為在400℃真空條件下進行2次射頻輝光,第一次輝光時間為2500s,間隔500s后進行第二次輝光,輝光時間為1800s。上述射頻輝光的頻射功率設為5000W,且在射頻輝光的過程中使用了流量比為1∶9的氨氣和硫化氫。
實施例2
一種石墨舟的清洗工藝,其特征是,包括以下步驟:
(1)分解石墨舟;
(2)在濃度為10%氫氟酸溶液中對分解好的石墨舟進行2h清洗,清洗時,對溶液進行持續的鼓泡,鼓泡氣壓為0.15Mpa;
(3)在清水中進行1h的清洗,清洗時,同樣對清水進行持續的鼓泡,鼓泡氣壓為0.15Mpa;
(4)在烘干爐中烘干8h;
(5)組裝石墨舟;
(6)在管式PECVD內對石墨舟進行飽和處理。
其中,(6)為在400℃真空條件下進行2次射頻輝光,第一次輝光時間為2500s,間隔500s后進行第二次輝光,輝光時間為1800s。上述射頻輝光的頻射功率設為5000W,且在射頻輝光的過程中使用了流量比為1∶9的氨氣和硫化氫。
實施例3
一種石墨舟的清洗工藝,其特征是,包括以下步驟:
(1)分解石墨舟;
(2)在濃度為10%氫氟酸溶液中對分解好的石墨舟進行2.6h清洗,清洗時,對溶液進行持續的鼓泡,鼓泡氣壓為0.18Mpa;
(3)在清水中進行1.5h的清洗,清洗時,同樣對清水進行持續的鼓泡,鼓泡氣壓為0.18Mpa;
(4)在烘干爐中烘干8h;
(5)組裝石墨舟;
(6)在管式PECVD內對石墨舟進行飽和處理。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





