[發明專利]晶片封裝體

有效

• 申請號: 201410299061.2
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104253100B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 張義民;劉滄宇;何彥仕;溫英男
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包含：

一半導體晶片，具有至少一導電墊、一內連線結構以及一電子元件，該導電墊設置于該半導體晶片的一表面，該內連線結構與該電子元件設置于該半導體晶片內部，且該電子元件通過該內連線結構電性連接該導電墊；

一絕緣層，設置于該半導體晶片的該表面上，其中該絕緣層具有至少一第一開口以暴露出部分該導電墊；

一重布局金屬層，設置于該絕緣層上且具有對應該導電墊的至少一重布局金屬線路，該重布局金屬線路通過該第一開口與該導電墊連接；以及

至少一焊接墊，配置于該絕緣層上且位于該半導體晶片的一側，

其中，該重布局金屬線路延伸至該焊接墊，使配置于該半導體晶片的該表面上的該導電墊電性連接于該側的該焊接墊。

2.根據權利要求1的晶片封裝體，其特征在于，進一步包含一第一鈍化層，該第一鈍化層覆蓋該絕緣層、該重布局金屬層以及該焊接墊，其中該第一鈍化層具有至少一第二開口以暴露出部分該焊接墊。

3.根據權利要求2的晶片封裝體，其特征在于，該第一鈍化層包含氧化硅。

4.根據權利要求2的晶片封裝體，其特征在于，該重布局金屬線路由至少二直線部以及至少一轉折部所組成，其中該二直線部沿不同方向延伸，該轉折部連接該二直線部，該二直線部的線寬小于該轉折部的線寬。

5.根據權利要求4的晶片封裝體，其特征在于，該至少二直線部的線寬是30～35微米，該至少一轉折部的線寬是80～85微米。

6.根據權利要求2的晶片封裝體，其特征在于，進一步包含一第二鈍化層，該第二鈍化層配置于該第一鈍化層上，其中該第二鈍化層亦具有該第二開口以暴露出部分該焊接墊。

7.根據權利要求6的晶片封裝體，其特征在于，該第一鈍化層包含氧化硅，該第二鈍化層包含氮化硅。

8.根據權利要求6的晶片封裝體，其特征在于，該重布局金屬線路由至少二直線部以及至少一轉折部所組成，其中該至少二直線部沿不同方向延伸，該至少一轉折部連接該至少二直線部，該至少二直線部的線寬小于該至少一轉折部的線寬。

9.根據權利要求8的晶片封裝體，其特征在于，該至少二直線部的線寬是30～35微米，該至少一轉折部的線寬是80～85微米。

10.根據權利要求7的晶片封裝體，其特征在于，進一步包含一第一焊點底層金屬，該第一焊點底層金屬配置于該第二開口內。

11.根據權利要求10的晶片封裝體，其特征在于，該第一焊點底層金屬包含：

一鎳金屬層，配置于該焊接墊上；

一鈀金屬層，配置于該鎳金屬層上；以及

一金金屬層，配置于該鈀金屬層上。

12.根據權利要求11的晶片封裝體，其特征在于，該重布局金屬線路由至少二直線部以及至少一轉折部所組成，其中該至少二直線部沿不同方向延伸，該至少一轉折部連接該至少二直線部，該至少二直線部的線寬小于該至少一轉折部的線寬。

13.根據權利要求12的晶片封裝體，其特征在于，該至少二直線部的線寬是30～35微米，該至少一轉折部的線寬是80～85微米。

14.根據權利要求1的晶片封裝體，其特征在于，進一步包含一第二焊點底層金屬，該第二焊點底層金屬完整覆蓋該焊接墊。

15.根據權利要求14的晶片封裝體，其特征在于，該第二焊點底層金屬包含：

一鎳金屬層，完整覆蓋該焊接墊；

一鈀金屬層，完整覆蓋該鎳金屬層；以及

一金金屬層，完整覆蓋該鈀金屬層上。

16.根據權利要求14的晶片封裝體，其特征在于，該重布局金屬線路由至少二直線部以及至少一轉折部所組成，其中該二直線部沿不同方向延伸，該轉折部連接該二直線部，該二直線部的線寬小于該轉折部的線寬。

17.根據權利要求16的晶片封裝體，其特征在于，該二直線部的線寬是30～35微米，該轉折部的線寬是80～85微米。

18.根據權利要求14的晶片封裝體，其特征在于，該第二焊點底層金屬，該第二焊點底層金屬完整覆蓋該重布局金屬線路。