[發(fā)明專利]一種聚吡咯/銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線、制備方法及其應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410299007.8 | 申請日: | 2014-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN104034775A | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張小俊;汪玲玲 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽師范大學(xué) |
| 主分類號: | G01N27/30 | 分類號: | G01N27/30;G01N21/76 |
| 代理公司: | 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107 | 代理人: | 張巧嬋 |
| 地址: | 241000 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 吡咯 氯化銀 結(jié)構(gòu) 納米 制備 方法 及其 應(yīng)用 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于聚合物/金屬@金屬半導(dǎo)體核殼納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)的合成方法領(lǐng)域,特別涉及一種聚吡咯/銀@氯化銀核殼納米線電極、制備方法及其應(yīng)用。
背景技術(shù)
金屬基半導(dǎo)體納米材料,在光催化、電催化、能量轉(zhuǎn)化等領(lǐng)域受到眾多的關(guān)注。因?yàn)榇蠖鄶?shù)半導(dǎo)體光催化劑受制于其在可見光區(qū)的低光催化效率或其低的電荷轉(zhuǎn)移能力。為了突破這些瓶頸,金屬-半導(dǎo)體異質(zhì)材料應(yīng)運(yùn)而生。
金屬-半導(dǎo)體異質(zhì)光催化劑能夠有效地提高光催化效率,因?yàn)榻饘佼愘|(zhì)材料能夠加快電子轉(zhuǎn)移速度,疏散半導(dǎo)體材料表面的電荷并且有效的阻礙電子與空穴的重組。因其優(yōu)越的光催化性能和銀卓越的電子轉(zhuǎn)移、運(yùn)輸能力,金屬-半導(dǎo)體異質(zhì)銀@氯化銀納米線材料得到廣泛的關(guān)注。并且氯化銀納米顆粒均勻的分布在銀納米線的表面,可以加速材料表面電子的轉(zhuǎn)移,有效的阻礙電子與空穴的重組。然而,氯化銀的超寬能帶限制了其對可見光的吸收,降低了對太陽光的利用率。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種聚吡咯/銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線及其制備方法。
本發(fā)明還提供了一種聚吡咯/銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線的應(yīng)用。
本發(fā)明提供的一種聚吡咯/銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線,有三層結(jié)構(gòu),第一層為光滑、均一的銀納米線,直徑為20-30納米;第二層為緊密包裹在銀納米線表面的氯化銀小顆粒;第三層為在銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線表面電沉積的聚吡咯。
本發(fā)明提供的一種聚吡咯/銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線的制備方法,包括以下步驟:
(1)銀納米線的制備
將聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液加熱至150-160℃,5-10min后,向其中加入硝酸鹽的乙二醇溶液,隨后加入0.25-0.1M的NaCl溶液,150-160℃反應(yīng)10-20min,整個(gè)過程都需要攪拌,得到產(chǎn)物先用丙酮離心清洗3次,再用蒸餾水離心清洗3次,得到銀納米線;(2)銀@氯化銀納米線的制備
將步驟(1)制備的銀納米線加入到0.05-0.15M的NaCl溶液,,然后將稀鹽酸處理過的鐵片浸入其中,反應(yīng)在20-35℃下放置30-75h后取出鐵片,產(chǎn)物用乙醇、蒸餾水分別離心清洗3次,得到銀@氯化銀納米線;
(3)聚吡咯/銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線的制備
將銀@氯化銀納米線修飾的玻碳電極上包裹聚吡咯薄膜作為參比電極,與鉑輔助電極和銀@氯化銀納米線修飾的玻碳電極組成的三電極系統(tǒng),在10-15mM吡咯和0.1-0.15M?NaClO4溶液中利用循環(huán)伏安法,電壓范圍從-0.6V到0.8V,掃速為0.05-0.1V/s,做2-20個(gè)循環(huán),制得聚吡咯/銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線,得到的電極稱為聚吡咯/銀@氯化銀電極。
步驟(1)所述聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液中,聚乙烯吡咯烷酮的質(zhì)量濃度為0.005-0.01g/mL。
步驟(1)所述硝酸鹽的乙二醇溶液中,硝酸銀的濃度為0.2-0.3mol/L。
步驟(1)中聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液、硝酸鹽的乙二醇溶液與NaCl溶液的體積比為100-200:10-25:1-5。
步驟(2)中銀納米線在NaCl溶液的濃度1.0-1.5mol/L。
步驟(3)所述銀@氯化銀納米線修飾的玻碳電極制備方法為:玻碳電極超聲清洗潔凈后在室溫下干燥,將步驟(2)制備的銀@氯化銀納米線溶解在N,N-二甲基甲酰胺中,銀@氯化銀納米線在N,N-二甲基甲酰胺的濃度5-10M,超聲分散10分鐘后用微升注射器吸取10微升溶液滴到玻碳電極上,干燥后得到銀@氯化銀納米線修飾的玻碳電極,為銀@氯化銀材料電極。
本發(fā)明所制備的聚吡咯/銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線在光電化學(xué)傳感器方面的應(yīng)用。
鐵片在銀@氯化銀核殼納米線的制備過程中的作用至關(guān)重要,可以有下面的反應(yīng)方程式來說明:
Fe+O2+H2O→Fe3++3OH-
Fe3++Ag→Ag++Fe2+
Ag++Cl-→AgCl
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