[發明專利]一種聚吡咯/銀@氯化銀核殼結構納米線、制備方法及其應用

有效

• 申請號: 201410299007.8
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104034775A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 張小俊;汪玲玲
• 申請（專利權）人: 安徽師范大學
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30;G01N21/76
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 張巧嬋

1.一種聚吡咯/銀@氯化銀核殼結構納米線，其特征在于，所述聚吡咯/銀@氯化銀核殼結構納米線有三層結構，第一層為光滑、均一的銀納米線，直徑為20-30納米；第二層為緊密包裹在銀納米線表面的氯化銀小顆粒；第三層為在銀@氯化銀核殼結構納米線表面電沉積的聚吡咯。

2.權利要求1所述的聚吡咯/銀@氯化銀核殼結構納米線的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)銀納米線的制備

將聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液加熱至150-160℃，5-10min后，向其中加入硝酸鹽的乙二醇溶液，隨后加入0.25-0.1M的NaCl溶液，150-160℃反應10-20min，整個過程都需要攪拌，得到產物先用丙酮離心清洗3次，再用蒸餾水離心清洗3次，得到銀納米線；(2)銀@氯化銀納米線的制備

將步驟(1)制備的銀納米線加入到0.05-0.15M的NaCl溶液，，然后將稀鹽酸處理過的鐵片浸入其中，反應在20-35℃下放置30-75h后取出鐵片，產物用乙醇、蒸餾水分別離心清洗3次，得到銀@氯化銀納米線；

(3)聚吡咯/銀@氯化銀核殼結構納米線的制備

將銀@氯化銀納米線修飾的玻碳電極上包裹聚吡咯薄膜作為參比電極，與鉑輔助電極和銀@氯化銀納米線修飾的玻碳電極組成的三電極系統，在10-15mM吡咯和0.1-0.15M?NaClO₄溶液中利用循環伏安法，電壓范圍從-0.6V到0.8V，掃速為0.05-0.1V/s，做2-20個循環，制得聚吡咯/銀@氯化銀核殼結構納米線，得到的電極稱為聚吡咯/銀@氯化銀核殼結構納米線修飾電極。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液中，聚乙烯吡咯烷酮的質量濃度為0.005-0.01g/mL。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述硝酸鹽的乙二醇溶液中，硝酸銀的濃度為0.2-0.3mol/L。

5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液、硝酸鹽的乙二醇溶液與NaCl溶液的體積比為100-200:10-25:1-5。

6.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)中銀納米線在NaCl溶液的濃度1.0-1.5mol/L。

7.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述銀@氯化銀納米線修飾的玻碳電極制備方法為：玻碳電極超聲清洗潔凈后在室溫下干燥，將步驟(2)制備的銀@氯化銀納米線溶解在N,N-二甲基甲酰胺中，銀@氯化銀納米線在N,N-二甲基甲酰胺的濃度5-10M，超聲分散10分鐘后用微升注射器吸取10微升溶液滴到玻碳電極上，干燥后得到銀@氯化銀納米線修飾的玻碳電極，為銀@氯化銀材料電極。

8.一種權利要求1所述的聚吡咯/銀@氯化銀核殼結構納米線的應用，其特征在于，在光電化學傳感器方面的應用。