[發明專利]一種新型磁控軸瓦濺鍍機

有效

• 申請號: 201410296566.3
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104060233A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 木儉樸
• 申請（專利權）人: 山東大豐軸瓦有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 山東舜天律師事務所 37226
• 代理人: 呂志彬

技術領域

本發明涉及濺渡裝置，尤其涉及一種新型磁控軸瓦濺鍍機。

背景技術

磁控濺射即在陰極靶表面形成一正交電磁場，在此區電子密度高，進而提高離子密度，使得濺鍍率提高（一個數量級），濺射速度可達0.1—1 um/min膜層附著力較蒸鍍佳，是目前最實用的鍍膜技術之一，在磁控濺射中通常加工標準軸瓦的方法是：1、先制造鋼背，2、在鋼背上燒結或澆筑銅基合金層，3、將該軸瓦基體送入濺鍍設備分層濺鍍鎳柵層和減磨合金層，本方法是安全環保的，但缺點是由于要濺鍍兩層（鎳柵層和減磨合金層），受目前濺鍍設備的限制，因此在濺鍍完鎳柵層后要降溫冷卻后更換鎳靶換成合金材料靶，這種濺鍍方式受降溫以及更換靶材等步驟制約，產量、效率很低。

發明內容

針對上述問題，本發明提供了一種新型磁控軸瓦濺鍍機。

為解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案是：一種新型磁控軸瓦濺鍍機，包括濺渡殼體，濺渡殼體內設有濺渡腔，所述濺渡腔設有濺射靶支撐架和軸瓦支撐架，所述濺渡殼體底部設有底座，所述濺射靶支撐架和所述軸瓦支撐架設置在濺渡殼體底部底座上，所述濺射靶支撐架中間設有濺射靶架軸，所述濺射靶架軸底部設有旋轉環，所述旋轉環通過連接桿與濺射靶架軸一側的濺射靶支撐架邊緣連接,所述濺渡殼體最下方設有電機，所述旋轉環與所述電機輸出軸相連接。

進一步地，所述濺射靶架軸兩側的濺射靶支撐架各活動設有一塊濺射靶，所述所述濺射靶的雙面設有凹槽，正面凹槽的底面為鎳靶、背面凹槽的底面合金靶。

進一步地，軸瓦支撐架表面設有多個掛柱，軸瓦支撐架各獨自連接一個軸瓦支撐架旋轉電機。

由上述對本發明結構的描述可知，和現有技術相比，本發明具有如下優點：

本發明，通過所述濺射靶架軸兩側的濺射靶支撐架各活動設有一塊濺射靶，所述所述濺射靶的雙面設有凹槽，正面凹槽的底面為鎳靶、背面凹槽的底面合金靶，當需要鎳靶時，合金靶互相貼合，只顯現出鎳靶，本種濺鍍方式是安全環保的，通過兩面靶，解決以往受降溫以及更換靶材等步驟制約，增加了工作產量、提高了效率。

附圖說明

構成本申請的一部分的附圖用來提供對本發明的進一步理解，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1為本發明為一種新型磁控軸瓦濺鍍機整體構示意圖；

圖2為本發明為一種新型磁控軸瓦濺鍍機的合金靶面閉合示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

實施例

通過參考圖1和圖2，一種新型磁控軸瓦濺鍍機，包括濺渡殼體1，濺渡殼體1內設有濺渡腔2，濺渡腔8設有濺射靶支撐架3和軸瓦支撐架4，濺渡殼體1底部設有底座7，濺射靶支撐架3和軸瓦支撐架4設置在濺渡殼體1底部底座7上，濺射靶支撐架3中間設有濺射靶架軸10，濺射靶架軸10底部設有旋轉環11，旋轉環11通過連接桿6與濺射靶架軸10一側的濺射靶支撐架3邊緣連接,濺渡殼體1最下方設有電機，旋轉環11與電機輸出軸相連接，濺射靶架軸10兩側的濺射靶支撐架3各活動設有一塊濺射靶2，濺射靶2的雙面設有凹槽，正面凹槽的底面為鎳靶、背面凹槽的底面合金靶，軸瓦支撐架4表面設有多個掛柱9，軸瓦支撐架4各獨自連接一個軸瓦支撐架旋轉電機。

所謂濺鍍，以目前了解為，在靶材和承載件上分別接入電源的正負極，在靶材和承載件之間即可建立起一個電磁場，電源正極為電磁場陽極，電源負極為電磁場陰極。接通電源后電磁場能量通過濺鍍設備內的惰性氣體對靶材轟擊，將靶材轟擊為中性離子濺射并沉積到對面的軸瓦基體上本發明則通過在濺射靶架軸10兩側的濺射靶支撐架3各活動設有一塊濺射靶2，濺射靶2的雙面設有凹槽，正面凹槽的底面為鎳靶、背面凹槽的底面合金靶，濺射靶支撐架3中間設有濺射靶架軸10，濺射靶架軸10底部設有旋轉環11，旋轉環11通過連接桿6與濺射靶架軸10一側的濺射靶支撐架3邊緣連接,濺渡殼體1最下方設有電機，旋轉環11與電機輸出軸相連接。