[發(fā)明專利]有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦薄膜的制備方法及其薄膜的用途有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410295658.X | 申請日: | 2014-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN104051628B | 公開(公告)日: | 2017-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周春蘭;李鵬申;婁茜;朱俊杰;王文靜 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院電工研究所 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司: | 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司11251 | 代理人: | 關(guān)玲 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 無機(jī) 雜化鈣鈦礦 薄膜 制備 方法 及其 用途 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于一種光電材料的制備方法,具體涉及一種有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦薄膜的制備方法,以及應(yīng)用所制備的薄膜的太陽電池。
背景技術(shù)
鈣鈦礦指的是那些像CaTiO3,顯示出具有ABX3化學(xué)計量,并具有鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)的一大類材料。目前被廣泛研究的是三鹵化有機(jī)金屬,尤其是CH3NH3PbI3和Cl摻雜的CH3NH3PbI3-xClx(混合型的鹵素鈣鈦礦)。這類材料具有帶隙可調(diào),吸光系數(shù)高,以及優(yōu)異的載流子產(chǎn)生和分離的能力,因此在光電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域得到廣泛的重視。
在太陽電池的眾多光電轉(zhuǎn)換材料中,包含了硅,砷化鎵,硫化物,硒化物,銻化物等。關(guān)于基于鈣鈦礦光電領(lǐng)域的研究有轉(zhuǎn)換材料:,如中國專利201110102113.9和201110142339.1研究的是鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化物材料光發(fā)射性質(zhì)。太陽電池領(lǐng)域的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的碘化物材料有采用固液反應(yīng)方法制備的,如中國專利申請201310257024.0,將固體B浸泡在A物質(zhì)的溶液中,在溶液中A和B發(fā)生固-液反應(yīng)。沒有見到關(guān)于這種采用真空條件下經(jīng)過兩種物質(zhì)的輸運(yùn)、冷凝然后在襯底表面發(fā)生反應(yīng)形成有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦薄膜的文獻(xiàn)報道。文獻(xiàn)報道中一般采用液相旋涂方法制備有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦薄膜材料及其太陽電池器件,但由于這種化學(xué)方法一方面重復(fù)性較差,另外一方面就是這種方法一般適用于以納米多孔材料作為支撐的結(jié)構(gòu),對于在平面襯底上很難形成致密均勻的納米顆粒薄膜;另外一種就是采用高真空的熱蒸發(fā)方法,能夠大面積的沉積高質(zhì)量的薄膜,在制備高效的平面薄膜太陽電池方面非常有利,但是設(shè)備、工藝復(fù)雜,限制了其應(yīng)用;最后一種就是采用氣相輔助的固相反應(yīng),就是先在襯底上沉積金屬碘鹽,然后在表面覆蓋鹵素有機(jī)鹽,這種方法在一定程度上降低了設(shè)備的成本,但同樣面臨均勻性和重復(fù)性的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為了克服已有技術(shù)的缺點(diǎn),提出一種有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦薄膜的制備方法。本發(fā)明在真空氣氛條件下采用鹵素有機(jī)鹽和二價金屬鹵化物,通過氣相輸運(yùn)到襯底表面,形成有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦薄膜。
一種有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦薄膜的制備方法,包括以下步驟:
1)按照摩爾比重稱量鹵素有機(jī)鹽A和二價金屬鹵化物B;所述的鹵素有機(jī)鹽A中,鹵素是I、Cl或者Br,有機(jī)鹽部分是CH3NH3或NH2=CHNH3;所述的二價金屬鹵化物B中,其金屬元素包含鉛Pb和錫Sn;
2)將稱量好的鹵素有機(jī)鹽A和二價金屬鹵化物B分別放入兩個石英舟中;
3)將載有鹵素有機(jī)鹽A和二價金屬鹵化物B的兩個石英舟分別放入到管式爐中的石英管內(nèi)的兩個不同溫區(qū)。石英管的一端封閉,另外一端開口,用于進(jìn)出樣品和與真空系統(tǒng)連接。其中放有鹵素有機(jī)鹽A的石英舟置于靠近石英管開口端較低溫度區(qū)域,將放有二價金屬鹵化物B的石英舟設(shè)置于石英管中間的高溫區(qū)域,將襯底C置于較放有鹵素有機(jī)鹽A的石英舟距離石英管開口端更近的較低溫度區(qū)域;
4)將石英管的開口端與真空系統(tǒng)進(jìn)行封閉連接,對石英管抽氣,待石英管達(dá)到真空狀態(tài),對石英管加熱,在襯底C上形成有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦薄膜。
優(yōu)選地,步驟4)中,石英管中的真空度范圍在1×10-1-1×10-4Pa。
優(yōu)選地,二價金屬鹵化物B置于石英管中間的高溫區(qū)域。所述的襯底C是硅片或玻璃片。在真空度達(dá)到預(yù)定值之后,對石英管進(jìn)行加熱使鹵素有機(jī)鹽A所在溫區(qū)的溫度在150-200℃之間,二價金屬鹵化物B所在溫區(qū)的溫度在350-400℃之間,襯底C所在溫區(qū)的溫度范圍為60-90℃。所述的三個溫區(qū)在上述溫度范圍下保溫時間為1-3小時。在這個過程中鹵素有機(jī)鹽A和二價金屬鹵化物B兩種物質(zhì)發(fā)生蒸發(fā),形成蒸汽,隨著氣流移動到襯底C所處的低溫區(qū),發(fā)生冷凝形成有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦薄膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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