[發(fā)明專利]一種納米Ag3Sn顆粒增強(qiáng)的復(fù)合無鉛焊錫膏及制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410295135.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104014947A | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙修臣;汪源;劉穎;李紅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B23K35/26 | 分類號(hào): | B23K35/26;B23K35/40 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100081 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 ag sub sn 顆粒 增強(qiáng) 復(fù)合 焊錫膏 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種納米Ag3Sn顆粒增強(qiáng)的復(fù)合無鉛焊錫膏及制備方法,屬于電子元器件組裝用的焊接材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
目前最常用的無鉛焊錫膏合金成分為Sn-3.0Ag-0.5Cu,由于其含Ag量高達(dá)3.0%,在實(shí)際應(yīng)用過程中存在成本過高的問題;同時(shí),過多Ag元素的加入會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)中出現(xiàn)大量粗大的Ag3Sn金屬間化合物(IMC),導(dǎo)致焊接接頭可靠性降低。因此,低Ag無鉛焊錫膏在電子制造業(yè)中的應(yīng)用范圍正逐步擴(kuò)大,但其自身也有熔點(diǎn)過高、潤濕性能差、焊接接頭力學(xué)性能差等缺點(diǎn)。研究表明,向焊錫膏中添加納米顆粒形成復(fù)合焊錫膏是改善焊錫膏工藝性能、提高焊接接頭可靠性的一種較為有效的方法。由此可見,將最新的納米材料制備技術(shù)與現(xiàn)有電子組裝用焊接材料相結(jié)合已經(jīng)成為電子微連接領(lǐng)域的一種必然發(fā)展趨勢(shì)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種納米Ag3Sn顆粒增強(qiáng)的復(fù)合無鉛焊錫膏,所述復(fù)合焊錫膏熔點(diǎn)低、潤濕性好、力學(xué)性能優(yōu)異;目的之二在于提供一種納米Ag3Sn顆粒增強(qiáng)的復(fù)合無鉛焊錫膏的制備方法;所述方法操作簡單,方便快速,具有良好的可重復(fù)性;
本發(fā)明的目的由以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種納米Ag3Sn顆粒增強(qiáng)的復(fù)合無鉛焊錫膏,所述焊錫膏由納米Ag3Sn顆粒和低Ag無鉛焊錫膏組成;
以所述復(fù)合焊錫膏總質(zhì)量為100%計(jì),納米Ag3Sn顆粒含量為0.1%~1.0%,低Ag無鉛焊錫膏含量為99.0%~99.9%;
所述低Ag無鉛焊錫膏優(yōu)選SAC0307焊錫膏,S代表Sn,A代表Ag,C代表Cu,以SAC0307焊錫膏中合金粉總質(zhì)量為100%計(jì),其中,Sn含量為99.0%,Ag含量為0.3%,Cu含量為0.7%;
一種納米Ag3Sn顆粒增強(qiáng)的復(fù)合無鉛焊錫膏的制備方法,所述方法步驟如下:
(1)將有機(jī)亞錫鹽、無機(jī)銀鹽溶解于溶劑1中,得到溶液a,加入表面活性劑,混合均勻,得到溶液b;(2)將油酸滴加入氨水中,得到溶液c,將還原劑固體溶解于溶液c中,混合均勻,得到溶液d;
(3)將溶液d逐滴加入溶液b中,振蕩、混合均勻,使之充分反應(yīng),然后靜置2~8h,離心洗滌,得到固體1;
(4)將固體1真空干燥6~20小時(shí),得到納米Ag3Sn顆粒;
(5)將納米Ag3Sn顆粒添加到低Ag無鉛焊錫膏中,混合均勻,得到本發(fā)明中所述納米Ag3Sn顆粒增強(qiáng)的復(fù)合無鉛焊錫膏。
其中,步驟(1)所述有機(jī)亞錫鹽優(yōu)選辛酸亞錫,濃度優(yōu)選5×10-3~5×10-2mol/L,所述無機(jī)銀鹽優(yōu)選硝酸銀,濃度優(yōu)選1.5×10-2~1.5×10-1mol/L;所述表面活性劑優(yōu)選1,10-菲啰啉,濃度優(yōu)選1×10-2~1×10-1mol/L,溶劑1優(yōu)選無水甲醇;
步驟(1)所述有機(jī)亞錫鹽和無機(jī)銀鹽中n(Ag+):n(Sn2+)優(yōu)選3:1,反應(yīng)溫度優(yōu)選20~60℃,反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選0.5~2h;
步驟(2)所述溶液c中油酸與氨水體積比優(yōu)選1:39~1:199,還原劑固體優(yōu)選硼氫化鈉,濃度0.1~1mol/L;反應(yīng)溫度優(yōu)選20~60℃,反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選0.25~2h;
步驟(3)所述離心洗滌,離心洗滌次數(shù)優(yōu)選5~20次,每次離心時(shí)間優(yōu)選5~20min,離心轉(zhuǎn)速優(yōu)選3000~7000r/min。
有益效果
(1)本發(fā)明所述納米Ag3Sn顆粒增強(qiáng)的復(fù)合無鉛焊錫膏中,常溫下以及焊接過程中均存在納米尺寸的Ag3Sn顆粒,符合增強(qiáng)顆粒形貌“細(xì)、小、勻、圓”的原則,能夠明顯改善焊接接頭的力學(xué)性能;
(2)所述復(fù)合焊錫膏熔點(diǎn)比低Ag無鉛焊錫膏熔點(diǎn)低,回流焊接時(shí)所需的焊接溫度更低,從而降低工藝成本,同時(shí)與傳統(tǒng)Sn-Pb焊錫膏工藝設(shè)備的匹配性更佳;
(3)所述復(fù)合焊錫膏與基板間的潤濕性能優(yōu)異,與低Ag無鉛焊錫膏相比,可焊性測(cè)試中,潤濕力更大,潤濕時(shí)間更短;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京理工大學(xué),未經(jīng)北京理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410295135.5/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 反射器用Ag合金反射膜及使用該Ag合金反射膜的反射器
- 處理增強(qiáng)上鏈調(diào)度允準(zhǔn)的無線通信方法及裝置
- 干涉濾光器、光模塊及分析裝置
- 處理增強(qiáng)上鏈調(diào)度允準(zhǔn)的無線通信方法及裝置
- 一種非金屬材料產(chǎn)品的AG裝置
- 一種納米級(jí)Ag/Ag<sup>+</sup>/Ag<sup>3+</sup>復(fù)合抗菌材料的制備方法
- 一種負(fù)載型Ag/Ag<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>光催化劑及其制備方法
- 一種電磁屏蔽織物及其制備方法
- Ag-Co薄膜/納米顆粒/薄膜催化劑及其制備方法
- 一種具有漸變AG效果的玻璃蓋板及其制備方法
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法





