[發明專利]一種線性化共柵CMOS低噪聲放大器電路

有效

• 申請號: 201410293725.4
• 申請日: 2014-06-25
• 公開（公告）號: CN104124924B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發明（設計）人: 郭本青;安士全
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三十八研究所
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/32
• 代理公司: 合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙)34124
• 代理人: 丁瑞瑞

1.一種線性化共柵CMOS低噪聲放大器電路，其特征在于：該電路為差分對稱結構，包括了輸入級(M1)、級聯級(M2)、畸變消除級(M1a)，射頻差分信號分別從輸入級輸入，經放大后的差分輸出信號分別從級聯級輸出，畸變消除級連接在級聯級，為工作在弱反型區的PMOS晶體管。

2.如權利要求1所述的一種線性化共柵CMOS低噪聲放大器電路，其特征在于：所述輸入級包括左右NMOS管對M1，級聯級包括左右PMOS管對M2以及左右電感對L_add，電感Ld和電容Cd為低噪放負載；

其中，左NMOS管M1的漏極通過結點X連接于左PMOS管M2的源極；其右NMOS管M1的漏極連接于右PMOS管M2的源極；同時，左NMOS管M1的源極為輸入信號的正端+Vin，右NMOS管M1的源極為輸入信號的負端-Vin，左右NMOS管對M1的源極節點分別連接到地，偏置電壓Vb1經偏置電阻與左右NMOS管對M1的柵極相連，依次串聯的信號源Vs和信號源內阻2Rs，分別通過左右隔直電容，串接于左右NMOS管對M1的源極；

級聯級的左PMOS管M2的柵極通過左電感L_add連接到電源V_DD、右PMOS管M2的柵極通過右電感L_add連接到電源V_DD、左右PMOS管對M2的漏極均通過并聯諧振的電感Ld和電容Cd連接到電源V_DD。

3.如權利要求2所述的一種線性化共柵CMOS低噪聲放大器電路，其特征在于：所述畸變消除級包括左右PMOS管對M1a、左右柵極隔直電容，以及左右柵極偏置電阻，其中，左NMOS管M1a的柵極通過左柵極隔直電容連接到左PMOS管M2的源極，左NMOS管M1a的漏極連接到右PMOS管M2的源極；右NMOS管M1a的柵極通過右柵極隔直電容連接到右PMOS管M2的源極，右NMOS管M1a的漏極連接到左PMOS管M2的源極，左右NMOS管M1a對管的源極連接到一起，接到電源V_DD，左右NMOS管對M1a的柵極分別通過左右柵極偏置電阻連接到偏置電壓V_b。

4.如權利要求2所述的一種線性化共柵CMOS低噪聲放大器電路，其特征在于：所述輸入級還包括兩個電容Cc1，左NMOS管M1的源極通過左Cc1連接于右NMOS管M1的柵極，右NMOS管M1的源極通過右Cc1連接于左NMOS管M1的柵極。

5.如權利要求2所述的一種線性化共柵CMOS低噪聲放大器電路，其特征在于：所述輸入級還包括兩個電感Ls，左右NMOS管對M1的源極節點分別通過左右電感Ls連接到地。

6.如權利要求2所述的一種線性化共柵CMOS低噪聲放大器電路，其特征在于：所述輸入級的左右NMOS管對M1的襯底交叉連接到其源極。

7.如權利要求2所述的一種線性化共柵CMOS低噪聲放大器電路，其特征在于：所述級聯級還包括左右附加電容對C_add，左附加電容C_add連接在左PMOS管M2的柵極和源極之間，右附加電容C_add連接在右PMOS管M2的柵極和源極之間。

8.如權利要求2所述的一種線性化共柵CMOS低噪聲放大器電路，其特征在于：所述級聯級還包括左右耦合電容對Cc2，左PMOS管M2的源極通過左耦合電容Cc2連接到右PMOS管M2的柵極，右PMOS管M2的源極通過右耦合電容Cc2連接到左PMOS管M2的柵極。