[發(fā)明專利]一種電壓調(diào)整器的電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410290251.8
• 申請(qǐng)日: 2014-06-24
• 公開（公告）號(hào): CN104079177B
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐樣洋;張臣雄;王新入
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H02M3/335
• 分類號(hào): H02M3/335;H02M1/14;H02M1/32
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電壓調(diào)整器的電路。

背景技術(shù)

電壓調(diào)整器是一種線性穩(wěn)壓器，通過(guò)在線性工作區(qū)運(yùn)行的晶體管或MOSFET管調(diào)整輸出電壓，將輸入電壓與輸出電壓差額維持在額定值之內(nèi)。電壓調(diào)整器具有損耗低、靜態(tài)電流小和結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于各類的電子設(shè)備。

在應(yīng)用過(guò)程中，難免地，電壓調(diào)整器的輸出電壓可能會(huì)因?yàn)闇囟雀淖儭㈦妷浩苹蚬に嚬?jié)點(diǎn)集成度增大等原因產(chǎn)生噪聲，如尖刺脈沖等，直接給負(fù)載帶來(lái)負(fù)擔(dān)，如影響負(fù)載的響應(yīng)速度和加大負(fù)載的能量損耗等。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電壓調(diào)整器的電路，可以減少電壓調(diào)整器的輸出電壓的噪聲，提高電壓調(diào)整器的穩(wěn)定性。

本發(fā)明實(shí)施例第一方面提供了一種電壓調(diào)整器的電路，包括電壓輸入端、變壓?jiǎn)卧⒎答伩刂茊卧⑿箟簡(jiǎn)卧约半妷狠敵龆耍渲校?/p>

所述變壓?jiǎn)卧牡谝欢伺c所述電壓輸入端的正極相連，所述變壓?jiǎn)卧牡诙伺c所述電壓輸出端的正極相連，所述反饋控制單元的輸入端與所述電壓輸出端的正極相連，所述反饋控制單元的輸出端與所述變壓?jiǎn)卧氖芸囟讼噙B，所述泄壓?jiǎn)卧牡谝欢伺c所述電壓輸出端的正極相連，所述泄壓?jiǎn)卧牡诙伺c所述電壓輸出端的負(fù)極相連，所述泄壓?jiǎn)卧牡谌伺c所述反饋控制單元的輸出端相連；

所述反饋控制單元用于在所述電壓輸出端的正極的輸出電壓高于或低于預(yù)設(shè)閾值時(shí)對(duì)應(yīng)地降低或升高所述變壓?jiǎn)卧膲航狄苑€(wěn)定所述電壓輸出端的正極的輸出電壓，所述泄壓?jiǎn)卧ㄩ_關(guān)管，所述反饋控制單元還用于在所述電壓輸出端的正極的輸出電壓跳變時(shí)導(dǎo)通所述開關(guān)管，所述開關(guān)管用于在導(dǎo)通時(shí)泄放所述電壓輸出端的正極的雜波。

在第一方面的第一種可能實(shí)現(xiàn)方式中，所述泄壓?jiǎn)卧€包括第一濾波電容和等效電阻，所述開關(guān)管是NMOS(Negative channel Metal Oxide Semiconductor，N溝道MOS)管，其中：

所述開關(guān)管的漏極與所述電壓輸出端的正極相連，所述開關(guān)管的源極分別與所述第一濾波電容的第一端和所述等效電阻的第一端相連，所述開關(guān)管的柵極與所述反饋控制單元的輸出端相連，所述電壓輸出端的負(fù)極分別與所述第一濾波電容的第二端和所述等效電阻的第二端相連。

結(jié)合第一方面的第一種可能實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)所述電壓輸出端的正極的輸出電壓發(fā)生跳變時(shí)，所述反饋控制單元的輸出端的輸出電壓增大，所述開關(guān)管的柵極的電壓將大于所述開關(guān)管的開啟電壓，進(jìn)而所述開關(guān)管導(dǎo)通，所述第一濾波電容和所述等效電阻構(gòu)成的濾波網(wǎng)絡(luò)將濾除所述電壓輸出端的正極的雜波。

結(jié)合第一方面的可能實(shí)現(xiàn)方式，在第三種可能實(shí)現(xiàn)方式中，所述電路還包括濾波單元，所述濾波單元的第一端與所述電壓輸出端的正極相連，所述濾波單元的第二端與所述電壓輸出端的負(fù)極相連；

所述濾波單元用于濾除所述電壓輸出端的正極的雜波。

結(jié)合第一方面以及第一方面的第三種可能實(shí)現(xiàn)方式，在第四種可能實(shí)現(xiàn)方式中，所述濾波單元包括第二濾波電容，所述第二濾波電容的第一端與所述電壓輸出端的正極相連，所述第二濾波電容的第二端與所述電壓輸出端的負(fù)極相連。

結(jié)合第一方面的可能實(shí)現(xiàn)方式，在第五種可能實(shí)現(xiàn)方式中，所述反饋控制單元包括第一分壓電阻、第二分壓電阻以及誤差放大器，其中：

所述第一分壓電阻的第一端與所述電壓輸出端的正極相連，所述第一分壓電阻的第二端與所述第二分壓電阻的第一端相連，所述第二分壓電阻的第二端與所述電壓輸出端的負(fù)極相連，所述誤差放大器的正輸入端與所述第一分壓電阻的第二端相連，所述誤差放大器的負(fù)輸入端接入第一參考電壓，所述誤差放大器的輸出端分別與所述變壓?jiǎn)卧氖芸囟撕退鲂箟簡(jiǎn)卧牡谌讼噙B。

結(jié)合第一方面以及第一方面的第五種可能實(shí)現(xiàn)方式，在第六種可能實(shí)現(xiàn)方式中，所述變壓?jiǎn)卧≒-Power-MOSFET(Positive channel-Power-Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體)管，其中，所述P-Power-MOSFET管的源極與所述電壓輸入端的正極相連，所述P-Power-MOSFET管的漏極與所述電壓輸出端的正極相連，所述P-Power-MOSFET管的柵極與所述誤差放大器的輸出端相連。