[發明專利]一種電壓調整器的電路有效
| 申請號: | 201410290251.8 | 申請日: | 2014-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN104079177B | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發明(設計)人: | 唐樣洋;張臣雄;王新入 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/335 | 分類號: | H02M3/335;H02M1/14;H02M1/32 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫,熊永強 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電壓 調整器 電路 | ||
1.一種電壓調整器的電路,其特征在于,所述電路包括電壓輸入端、變壓單元、反饋控制單元、泄壓單元以及電壓輸出端,其中:
所述變壓單元包括至少三個PMOS管,每個所述PMOS管的源極均與所述電壓輸入端的正極相連,所述每個PMOS管的漏極均與所述電壓輸出端的正極相連,所述反饋控制單元的輸入端與所述電壓輸出端的正極相連,所述反饋控制單元包括數字控制器,所述數字控制器的輸出端與所述變壓單元的受控端相連,所述數字控制器的輸出端的端口個數不少于所述PMOS管的個數,所述每個PMOS管的柵極與所述數字控制器的輸出端的對應端口相連,所述泄壓單元的第一端與所述電壓輸出端的正極相連,所述泄壓單元的第二端與所述電壓輸出端的負極相連,所述泄壓單元的第三端與所述反饋控制單元的輸出端相連;
所述反饋控制單元用于在所述電壓輸出端的正極的輸出電壓高于或低于預設閾值時對應地降低或升高所述變壓單元的壓降以穩定所述電壓輸出端的正極的輸出電壓,所述泄壓單元包括開關管、第一濾波電容和等效電阻,所述反饋控制單元還用于在所述電壓輸出端的正極的輸出電壓跳變時,所述反饋控制單元的輸出端的輸出電壓增大,所述開關管的柵極的電壓將大于所述開關管的開啟電壓,進而導通所述開關管,在所述開關管導通時所述第一濾波電容和所述等效電阻構成的濾波網絡用于濾除所述電壓輸出端的正極的雜波。
2.如權利要求1所述的電壓調整器的電路,其特征在于,所述開關管是NMOS(Negative channel Metal Oxide Semiconductor,N溝道MOS)管,其中:
所述開關管的漏極與所述電壓輸出端的正極相連,所述開關管的源極分別與所述第一濾波電容的第一端和所述等效電阻的第一端相連,所述開關管的柵極與所述反饋控制單元的輸出端相連,所述電壓輸出端的負極分別與所述第一濾波電容的第二端和所述等效電阻的第二端相連。
3.如權利要求1所述的電壓調整器的電路,其特征在于,所述電路還包括濾波單元,所述濾波單元的第一端與所述電壓輸出端的正極相連,所述濾波單元的第二端與所述電壓輸出端的負極相連;
所述濾波單元用于濾除所述電壓輸出端的正極的雜波。
4.如權利要求3所述的電壓調整器的電路,其特征在于,所述濾波單元包括第二濾波電容,所述第二濾波電容的第一端與所述電壓輸出端的正極相連,所述第二濾波電容的第二端與所述電壓輸出端的負極相連。
5.如權利要求1所述的電壓調整器的電路,其特征在于,所述反饋控制單元包括第一分壓電阻、第二分壓電阻以及誤差放大器,其中:
所述第一分壓電阻的第一端與所述電壓輸出端的正極相連,所述第一分壓電阻的第二端與所述第二分壓電阻的第一端相連,所述第二分壓電阻的第二端與所述電壓輸出端的負極相連,所述誤差放大器的正輸入端與所述第一分壓電阻的第二端相連,所述誤差放大器的負輸入端接入第一參考電壓,所述誤差放大器的輸出端分別與所述變壓單元的受控端和所述泄壓單元的第三端相連。
6.如權利要求5所述的電壓調整器的電路,其特征在于,所述變壓單元包括P-Power-MOSFET(Positive channel-Power-Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,P溝道功率MOS場效應晶體)管,其中,所述P-Power-MOSFET管的源極與所述電壓輸入端的正極相連,所述P-Power-MOSFET管的漏極與所述電壓輸出端的正極相連,所述P-Power-MOSFET管的柵極與所述誤差放大器的輸出端相連。
7.如權利要求6所述的電壓調整器的電路,其特征在于,
當所述電壓輸出端的正極的輸出電壓高于預設閾值時,所述誤差放大器的正輸入端的電壓和所述第一參考電壓的差值增大,進而所述誤差放大器的輸出端的輸出電流減小,所述P-Power-MOSFET管的源極和漏極的壓降增大,進而所述電壓輸出端的正極的輸出電壓減小;
當所述電壓輸出端的正極的輸出電壓低于預設閾值時,所述誤差放大器的正輸入端的電壓和所述第一參考電壓的差值減小,進而所述誤差放大器的輸出端的輸出電流增大,所述P-Power-MOSFET管的源極和漏極的壓降減小,進而所述電壓輸出端的正極的輸出電壓增大。
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