[發明專利]只讀存儲器

有效

• 申請號: 201410289150.9
• 申請日: 2014-06-24
• 公開（公告）號: CN105336370B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 權彞振;倪昊;鄭曉;趙子鑒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 江舟;吳貴明

本發明公開了一種只讀存儲器。其中，該只讀存儲器包括：單元陣列，包括字線、位線，與字線和位線連接的晶體管；充電電路，位于單元陣列外部，與電源端和位線連接，用于在位線方向上對單元陣列進行充電。本發明解決了現有技術中需要預充電所導致的讀取ROM的速度較慢的技術問題，達到了提高讀取ROM的速度、且沒有增加芯片的尺寸和沒有影響平均有效電流的技術效果。

技術領域

本發明涉及半導體領域，具體而言，涉及一種只讀存儲器(Read Only Memory,ROM)。

背景技術

目前，相關技術中的只讀存儲器(ROM)的結構如圖1所示，包括晶體管102至晶體管110，并通過反相器112連接輸出端DOUT。在對該ROM進行讀操作時需要對位線進行預充電，這樣使得在前幾個周期上出現錯誤，此外，由于每次需要進行預充電，使得只讀存儲器在執行讀操作時出現嚴重的延時，導致讀取ROM的速度較慢。

針對上述的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

發明內容

本發明實施例提供了一種只讀存儲器，以至少現有技術中需要預充電所導致的讀取ROM的速度較慢的技術問題。

根據本發明實施例的一個方面，提供了一種只讀存儲器，包括：單元陣列，包括字線、位線，與上述字線和上述位線連接的晶體管；充電電路，位于上述單元陣列外部，與電源端和上述位線連接，用于在上述位線方向上對上述單元陣列進行充電。

可選地，上述充電電路包括：第一晶體管和第二晶體管，其中，上述第一晶體管的柵極與接地端連接，上述第二晶體管的柵極與上述接地端或與控制輸入端連接，上述第一晶體管的漏極與上述電源端連接，上述第一晶體管的源極與上述第二晶體管的漏極連接，上述第二晶體管的源極與上述位線連接。

可選地，在上述第二晶體管的柵極與上述控制輸入端連接的情況下，上述第一晶體管為一個，上述第二晶體管為多個，多個上述第二晶體管中的每一個的柵極均與上述控制輸入端連接，上述第一晶體管的源極與多個上述第二晶體管中的每一個的漏極連接，多個上述第二晶體管中的每一個的源極與上述位線連接。

可選地，上述位線為N條，上述第二晶體管為N個，其中，上述多個上述第二晶體管中的每一個的源極與上述位線連接包括：N個上述第二晶體管中的每一個的源極分別連接N條上述位線中的一條。

可選地，上述第一晶體管為低壓晶體管，上述第二晶體管為高壓晶體管。

可選地，上述第一晶體管和上述第二晶體管均為長溝道型晶體管。

可選地，上述位線通過使能部件與輸出端連接，其中，上述使能部件用于使能上述充電電路在上述位線方向上對上述單元陣列進行自動充電。

可選地，上述使能部件包括：第三晶體管，上述第三晶體管的漏極與上述電源端連接，上述第三晶體管的柵極與第一使能控制端連接，上述第三晶體管的源極與上述輸出端和上述位線連接。

可選地，上述第三晶體管的源極與上述位線連接包括：

上述第三晶體管的源極與第四晶體管的漏極連接，上述第四晶體管的柵極與第二使能控制端連接，上述第四晶體管的源極與第五晶體管的漏極連接，上述第五晶體管的柵極與第三使能控制端連接，上述第五晶體管的源極與上述位線連接。

可選地，每一條上述位線與一個上述使能部件連接。

在本發明實施例中，采用位于單元陣列外部的充電電路在位線方向上對單元陣列進行充電，解決了現有技術中需要預充電所導致的讀取ROM的速度較慢的技術問題，達到了提高讀取ROM的速度、且沒有增加芯片的尺寸和沒有影響平均有效電流的技術效果。

附圖說明