[發明專利]只讀存儲器

有效

• 申請號: 201410289150.9
• 申請日: 2014-06-24
• 公開（公告）號: CN105336370B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 權彞振;倪昊;鄭曉;趙子鑒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 江舟;吳貴明

1.一種只讀存儲器，其特征在于，包括：

單元陣列，包括字線、位線，與所述字線和所述位線連接的晶體管；

充電電路，位于所述單元陣列外部，與電源端和所述位線連接，用于在所述位線方向上對所述單元陣列進行充電；

其中,所述充電電路包括：

第一晶體管和第二晶體管，其中，所述第一晶體管的柵極與接地端連接，所述第二晶體管的柵極與所述接地端或與控制輸入端連接，所述第一晶體管的漏極與所述電源端連接，所述第一晶體管的源極與所述第二晶體管的漏極連接，所述第二晶體管的源極與所述位線連接；

在所述第二晶體管的柵極與所述控制輸入端連接的情況下，所述第一晶體管為一個，所述第二晶體管為多個，多個所述第二晶體管中的每一個的柵極均與所述控制輸入端連接，所述第一晶體管的源極與多個所述第二晶體管中的每一個的漏極連接，多個所述第二晶體管中的每一個的源極與所述位線連接。

2.根據權利要求1所述的只讀存儲器，其特征在于，所述位線為N條，所述第二晶體管為N個，其中，所述多個所述第二晶體管中的每一個的源極與所述位線連接包括：

N個所述第二晶體管中的每一個的源極分別連接N條所述位線中的一條。

3.根據權利要求1或2所述的只讀存儲器，其特征在于，所述第一晶體管為低壓晶體管，所述第二晶體管為高壓晶體管。

4.根據權利要求1或2所述的只讀存儲器，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管均為長溝道型晶體管。

5.根據權利要求1或2所述的只讀存儲器，其特征在于，所述位線通過使能部件與輸出端連接，其中，所述使能部件用于使能所述充電電路在所述位線方向上對所述單元陣列進行自動充電。

6.根據權利要求5所述的只讀存儲器，其特征在于，所述使能部件包括：

第三晶體管，所述第三晶體管的漏極與所述電源端連接，所述第三晶體管的柵極與第一使能控制端連接，所述第三晶體管的源極與所述輸出端和所述位線連接。

7.根據權利要求6所述的只讀存儲器，其特征在于，所述第三晶體管的源極與所述位線連接包括：

所述第三晶體管的源極與第四晶體管的漏極連接，所述第四晶體管的柵極與第二使能控制端連接，所述第四晶體管的源極與第五晶體管的漏極連接，所述第五晶體管的柵極與第三使能控制端連接，所述第五晶體管的源極與所述位線連接。

8.根據權利要求5所述的只讀存儲器，其特征在于，每一條所述位線與一個所述使能部件連接。