[發明專利]封裝基板、覆晶封裝電路及其制作方法

有效

• 申請號: 201410288879.4
• 申請日: 2014-06-24
• 公開（公告）號: CN105244340B
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 許哲瑋;許詩濱
• 申請（專利權）人: 恒勁科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種封裝基板，其特征在于，其包括：

一第一導線層，其包含一第一金屬走線及一第一介電材料層，該第一介電材料層充填于該第一導線層內該第一金屬走線以外的其余部分；

一導電柱層，形成于該第一導線層上，該導電柱層包含一金屬柱狀物、一具有一凸出部的鑄模化合物層、及一第二介電材料層，該金屬柱狀物連接該第一金屬走線，該第二介電材料層形成于該鑄模化合物層上，該凸出部圍繞該金屬柱狀物，該凸出部的寬度由上而下逐漸增大；

一第二導線層，形成于該導電柱層上，該第二導線層包含一連接該金屬柱狀物的第二金屬走線；以及

一保護層，形成于該第二導線層上。

2.根據權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，該封裝基板為覆晶式晶片尺寸封裝(Flip-Chip Chip Size Package)基板。

3.根據權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，該鑄模化合物層的材料包含環氧基樹脂(Epoxy-Based Resin)或聚酰亞胺(Polyimide)。

4.根據權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，該第二介電材料層的材料包含環氧基樹脂或聚酰亞胺。

5.根據權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，該凸出部具有一凹斜的側面。

6.根據權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，該金屬柱狀物的側面完全被該鑄模化合物層所包覆。

7.一種覆晶封裝電路，其特征在于，其包括：

一第一導線層，其包含一第一金屬走線及一第一介電材料層，該第一介電材料層充填于該第一導線層內該第一金屬走線以外的其余部分；

一導電柱層，形成于該第一導線層上，該導電柱層包含一金屬柱狀物、一具有一凸出部的鑄模化合物層、及一第二介電材料層，該金屬柱狀物連接該第一金屬走線，該第二介電材料層形成于該鑄模化合物層上，該凸出部圍繞該金屬柱狀物，該凸出部的寬度由上而下逐漸增大；

一第二導線層，形成于該導電柱層上，該第二導線層包含一連接該金屬柱狀物的第二金屬走線；

一保護層，形成于該第二導線層上，并具有一露出該第二金屬走線的開口；

一電路晶片，設置于該第一導線層下，并電性連接該第一金屬走線；以及

一電路板，設置于該保護層上，并通過該保護層的開口而電性連接該第二金屬走線。

8.根據權利要求7所述的覆晶封裝電路，其特征在于，該凸出部具有一凹斜的側面。

9.根據權利要求7所述的覆晶封裝電路，其特征在于，該金屬柱狀物的側面完全被該鑄模化合物層所包覆。

10.一種封裝基板的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：

(A)提供一承載板；

(B)在該承載板上形成一第一導線層，該第一導線層包含一第一金屬走線與一第一介電材料層，該第一介電材料層充填于該第一導線層內該第一金屬走線以外的其余部分；

(C)在該第一導線層上形成一金屬柱狀物，使得該金屬柱狀物連接該第一金屬走線；

(D)在該承載板上形成一鑄模化合物層，該鑄模化合物層完全包覆該承載板上的該第一導線層與該金屬柱狀物；

(E)移除部分的該鑄模化合物層，使得剩余的鑄模化合物層包含一第一區域及一第二區域，該第一區域的上表面低于該金屬柱狀物的上端面，且該第二區域圍繞該金屬柱狀物；

(F)在該剩余的鑄模化合物層上形成一第二介電材料層，使得該第二介電材料層的上表面高于該金屬柱狀物的上端面；

(G)移除部分的該第二介電材料層及/或該鑄模化合物層，使得該金屬柱狀物的上端面露出；

(H)在該第二介電材料層上形成一包含一第二金屬走線的第二導線層，使得該第二金屬走線連接該金屬柱狀物；以及

(I)在該第二導線層上形成一保護層，并移除該承載板；

其中，該鑄模化合物層的第二區域包含一凸出部，且步驟(E)使得該凸出部的寬度由上而下逐漸增大。

11.根據權利要求10所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，該封裝層的材料包含環氧基樹脂。

12.根據權利要求10所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，該第二介電材料層的材料包含環氧基樹脂或聚酰亞胺。