[發(fā)明專利]一種專用電容器的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410288518.X
• 申請(qǐng)日: 2014-06-24
• 公開（公告）號(hào): CN105321798A
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈攀攀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 沈攀攀
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種專用電容器的制造方法，其特征在于，包括：沉積層間介質(zhì)層；采用銅互連工藝在所述層間介質(zhì)層中形成電容區(qū)，所述電容區(qū)包括相互平行的銅互連線，及所述銅互連線之間的層間介質(zhì)；刻蝕所述電容區(qū)中銅互連線間的層間介質(zhì)；沉積一層高介電常數(shù)介質(zhì)；在所述高介電常數(shù)介質(zhì)之間填充金屬銅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器的制造方法，其特征在于，在所述高介電常數(shù)介質(zhì)之間填充金屬銅的步驟后，通過化學(xué)機(jī)械研磨去除多余的金屬銅及高介電常數(shù)介質(zhì)。電容區(qū)中銅互連線間距為100nm至250nm，銅互連線厚度為200nm至500nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器的制造方法，其特征在于，所述高介電常數(shù)介質(zhì)為氮化硅，淀積的所述氮化硅厚度為30nm至60nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容器的制造方法，其特征在于，所述低介電常數(shù)介質(zhì)為碳攙雜氧化硅或氟摻雜氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器的制造方法，其特征在于，填充金屬銅的步驟包括，沉積擴(kuò)散阻擋層、銅籽晶層及電鍍銅。