[發明專利]半導體工藝用RFID耐熱標簽

有效

• 申請號: 201410287572.2
• 申請日: 2014-06-25
• 公開（公告）號: CN104123573B
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 許進俊
• 申請（專利權）人: 無錫威盛信息技術有限公司
• 主分類號: G06K19/02
• 分類號: G06K19/02;G06K19/077
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及RFID標簽技術領域，特別涉及半導體工藝用RFID耐熱標簽，包括上下疊加的銅薄膜板層和混合材料板層，所述銅薄膜板層上設有芯片和天線，所述混合材料板層由上部構造層、相隔層、下部構造層組成；所述芯片和天線由環氧玻璃和硅粘合劑混合材料粘結于銅薄膜板層上；所述上部構造層由環氧玻璃、聚四氟乙烯、銅、ABS樹脂、碳顏料的混和物加溫熔化后擠壓而成；所述相隔層由聚酰亞胺和硅涂料的混和物加溫熔化后擠壓而成；所述下部構造層由聚酰亞胺、硅粘合劑、鐵、銀混和物加溫熔化后擠壓而成。本發明所得RFID標簽，比現有技術而言，耐溫效果得到極大提高。

技術領域

本發明涉及RFID標簽技術領域，特別涉及半導體工藝用RFID耐熱標簽。

背景技術

RDIF標簽因其智能方便，得到越來越廣泛的應用。因為RDIF標簽應用場合條件比較差，如溫度高，濕度大，較腐蝕性等。現有的RDIF標簽價格昂貴，材料設置不合理，對讀出器的識別距離要求比較高，并且不適用于高溫環境。有必要對現有技術進行改進。

發明內容

針對上述現有技術存在的不足，本發明的目的是提供半導體工藝用RFID耐熱標簽，其具有材料設置合理，耐高溫等特點。

為實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

本發明所述半導體工藝用RFID耐熱標簽，包括上下疊加的銅薄膜板層和混合材料板層，所述銅薄膜板層上設有芯片和天線，所述混合材料板層由上部構造層、相隔層、下部構造層組成；

所述芯片和天線由環氧玻璃和硅粘合劑混合材料粘結于銅薄膜板層上；

所述上部構造層由環氧玻璃、聚四氟乙烯、銅、ABS樹脂、碳顏料的混和物加溫熔化后擠壓而成；

所述相隔層由聚酰亞胺和硅涂料的混和物加溫熔化后擠壓而成；

所述下部構造層由聚酰亞胺、硅粘合劑、鐵、銀混和物加溫熔化后擠壓而成。

進一步地，所述上部構造層中各組成物的質量百分比為：

進一步地，所述相隔層中各組成物的質量百分比為：

聚酰亞胺 70％

硅涂料 30％。

進一步地，所述下部構造層中各組成物的質量百分比為：

本發明采用上述結構和配方后，其有益效果為：所述混合材料板層由上部構造層、相隔層、下部構造層組，各層采用特殊的配方，可用于金屬用的環境，還可適用于高溫環境，耐久性高，而且，在半導體生產線和工廠自動化生產線中最大限度地減少電磁波的散射現象。

附圖說明

圖1是本發明結構示意圖。

圖中：

1、銅薄膜板層； 2、混合材料板層；

3、上部構造層； 4、相隔層； 5、下部構造層。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步的說明：

實施例

本發明所述的半導體工藝用RFID耐熱標簽，包括上下疊加的銅薄膜板層1和混合材料板層2，所述銅薄膜板層1上設有芯片和天線，所述混合材料板層2由上部構造層3、相隔層4、下部構造層5組成；所述芯片和天線由環氧玻璃和硅粘合劑混合材料粘結于銅薄膜板層1上；