[發明專利]半導體工藝用RFID耐熱標簽有效
| 申請號： | 201410287572.2 | 申請日： | 2014-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN104123573B | 公開（公告）日： | 2018-08-28 |
| 發明（設計）人： | 許進俊 | 申請（專利權）人： | 無錫威盛信息技術有限公司 |
| 主分類號： | G06K19/02 | 分類號： | G06K19/02;G06K19/077 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 板層 熔化 混合材料 混和物 銅薄膜 加溫 擠壓 半導體工藝 硅粘合劑 環氧玻璃 聚酰亞胺 耐熱標簽 上部構造 下部構造 天線 相隔 芯片 聚四氟乙烯 上下疊加 硅涂料 碳顏料 耐溫 粘結 | ||
【權利要求書】：
1.半導體工藝用RFID耐熱標簽，其特征在于：包括上下疊加的銅薄膜板層(1)和混合材料板層(2)，所述銅薄膜板層(1)上設有芯片和天線，所述混合材料板層(2)由上部構造層(3)、相隔層(4)、下部構造層(5)組成；
所述芯片和天線由環氧玻璃和硅粘合劑混合材料粘結于銅薄膜板層(1)上；
所述上部構造層(3)由環氧玻璃、聚四氟乙烯、銅、ABS樹脂、碳顏料的混和物加溫至190℃熔化后擠壓而成；
所述相隔層(4)由聚酰亞胺和硅涂料的混和物加溫熔化后擠壓而成；
所述下部構造層(5)由聚酰亞胺、硅粘合劑、鐵、銀混和物加溫至210℃熔化后擠壓而成。
2.根據權利要求1所述的半導體工藝用RFID耐熱標簽，其特征在于：所述上部構造層(3)中各組成物的質量百分比為：
3.根據權利要求1所述的半導體工藝用RFID耐熱標簽，其特征在于：所述相隔層(4)中各組成物的質量百分比為：
聚酰亞胺 70％
硅涂料 30％。
4.根據權利要求1所述的半導體工藝用RFID耐熱標簽，其特征在于：所述下部構造層(5)中各組成物的質量百分比為：
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