[發明專利]保管設備有效
| 申請號: | 201410287316.3 | 申請日: | 2014-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN104253076B | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發明(設計)人: | 大塚洋;河村真輔;吉本忠浩 | 申請(專利權)人: | 株式會社大福 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 馮春時;李婷 |
| 地址: | 日本大阪*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保管 設備 | ||
本發明實現一種保管設備,能夠以簡單的構成,抑制排出到保管空間的外部的氣體中惰性氣體的濃度。保管設備包括:在與外部劃分形成的保管空間的內部包括多個收納部的保管裝置;向收納在收納部的容器的內部供給惰性氣體的惰性氣體供給部。保管裝置包括氣體排出部,將包含從容器排出的氣體的保管空間的內部的氣體排出到保管空間的外部。氣體排出部包括作為限制氣體的流量的節流部起作用的節流開口部,節流開口部形成在收納部的配置區域的下側。
技術領域
本發明涉及一種保管設備,其包括在與外部劃分形成的保管空間的內部包括多個收納部的保管裝置、向收納在收納部的容器的內部供給惰性氣體的惰性氣體供給部。
背景技術
日本特開平11-168135號公報(專利文獻1)公開了如上所述的保管設備的一個例子。專利文獻1的0101-0118段記載了以下技術:通過向收納在保管裝置的收納部的容器的內部供給惰性氣體,將該容器的內部的氣體替換為惰性氣體,將該容器的內部的氧、水蒸氣的濃度抑制得較低。另外,在專利文獻1的0103段記載了在將容器的內部的氣體替換為惰性氣體時,將與容器的蓋部連接的配管作為排出容器內的氣體的排氣口使用。
發明內容
用于解決問題的方案
可是,如上所述在將容器的內部的氣體替換為惰性氣體時,包含惰性氣體供給部所供給的惰性氣體的容器的內部的氣體被排出到容器的外部。即,從容器排出的氣體中包含與空氣相比濃度高的惰性氣體,從容器排出的氣體的氧濃度與惰性氣體的濃度變高相應地降低。因此,將從容器排出的氣體原樣排出到保管空間的外部是不理想的。這是因為,在惰性氣體的濃度高的氣體排出到保管空間的外部的情況下,有的情況下需要限制保管裝置的周邊的操作者的移動范圍,或者在操作者操作時停止惰性氣體向容器內部的供給。然而,在專利文獻1中,關于這一點沒有特別的認識。
因此,期望實現一種保管設備,其能夠以簡單的構成抑制排出到保管空間的外部的氣體中惰性氣體的濃度。
本發明所涉及的保管設備包括:保管裝置,在與外部劃分形成的保管空間的內部包括多個收納部;惰性氣體供給部,向收納在所述收納部的容器的內部供給惰性氣體,此處,所述保管裝置包括氣體排出部,將包含從所述容器排出的氣體的所述保管空間的內部的氣體排出到所述保管空間的外部,所述氣體排出部包括節流開口部,作為限制氣體的流量的節流部起作用,所述節流開口部形成在所述收納部的配置區域的下側。
根據上述構成,由于氣體排出部被構成為:將包含從容器排出的氣體的保管空間的內部的氣體排出到保管空間的外部,因此能夠將從容器排出的氣體與保管空間的內部的氣體混合,之后排出到保管空間的外部。此時,由于氣體排出部包括作為節流部起作用的節流開口部,因此與不包括節流開口部的情況相比,能夠促進保管空間的內部的氣體的混合。即,能夠以設有節流開口部這樣的簡單的構成,利用保管空間使從容器排出的氣體與保管空間的內部的氣體適當混合,結果,能夠抑制排出到保管空間的外部的氣體中惰性氣體的濃度。
另外,根據上述構成,由于節流開口部形成在收納部的配置區域的下側,因此,能夠將利用氣體排出部排出氣體的部位形成在靠近底板部的位置。因此,例如在保管設備設置在下流式的無塵室內的情況下,能夠將氣體排出部排出到保管空間的外部的氣體邊利用下流抑制從底板部的浮起,邊流動至無塵室的空氣的循環路徑中。其結果是,抑制底板部的上側形成的操作空間中惰性氣體的濃度變得容易。
進一步,配置在最下部的收納部的高度例如由于在保管空間的內部運送容器的內部運送裝置的構造上的限制等,一般而言設定在比底板部高的位置。根據上述構成,由于節流開口部形成在收納部的配置區域的下側,因此在最下部的收納部與底板部之間形成空間的情況下,能夠有效利用該空間來設有氣體排出部。
下面,說明本發明的優選實施方式的例子。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





