[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201410285928.9
• 申請日: 2014-06-24
• 公開（公告）號: CN104241137B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 陸陽;黃必亮;任遠程;周遜偉
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 杭州知通專利代理事務所(普通合伙)33221
• 代理人: 應圣義

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底內具有體區；

在所述半導體襯底表面形成柵極結構，所述柵極結構橫跨體區與半導體襯底之間的界面；

以所述柵極結構為掩膜，對兩個柵極結構之間的體區進行第一雜質離子傾斜注入，在暴露出的體區表面和柵極結構底部靠近邊緣的位置形成低阻輕摻雜源區，利用所述低阻輕摻雜源區在側墻底部的體區內形成導電通道，所述低阻輕摻雜源區的方塊電阻范圍為600歐姆～2K歐姆；

在所述柵極結構側壁形成側墻，以所述側墻為掩膜，對暴露出的體區表面形成重摻雜源區；

利用光掩模在所述重摻雜源區對應的位置進行離子注入，形成體區連接區，所形成的體區連接區與側墻接觸。

2.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，當所述半導體結構為NLDMOS晶體管時，所述第一雜質離子為砷離子；當所述半導體結構為PLDMOS晶體管時，所述第一雜質離子為BF₂離子或銦離子。

3.如權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，當所述第一雜質離子為砷離子，所述砷離子傾斜注入的注入能量為10KeV～50KeV，注入劑量為5e13/平方厘米～1e14/平方厘米，注入的角度為7度～15度，所述低阻輕摻雜源區的方塊電阻為600歐姆～1.2K歐姆。

4.如權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，當所述第一雜質離子為BF₂離子或銦離子，所述BF₂離子或銦離子傾斜注入的注入能量為10KeV～100KeV，注入劑量為5e13/平方厘米～1e14/平方厘米，注入的角度為7度～15度，所述低阻輕摻雜源區的方塊電阻為1K歐姆～2K歐姆。

5.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，體區連接區光掩模圖形的投影與側墻有重疊部分。

6.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，體區連接區的光掩模圖形為當前工藝下體區連接區的最小尺寸圖形。

7.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，體區連接區的光掩模圖形為正方形，且所述正方形的邊緣與側墻的邊緣呈45度。

8.一種半導體結構，其特征在于，包括：半導體襯底，位于半導體襯底內的體區；位于所述半導體襯底表面且位于體區兩側的兩個柵極結構和側墻，所述柵極結構橫跨體區與半導體襯底之間的界面；位于側墻之間暴露出的體區內的重摻雜源區，位于重摻雜源區靠近柵極結構一側的低阻輕摻雜源區，利用所述低阻輕摻雜源區在側墻底部的體區內形成導電通道，所述低阻輕摻雜源區的方塊電阻范圍為600歐姆～2K歐姆；位于所述重摻雜源區內的體區連接區，所形成的體區連接區與側墻接觸。

9.如權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，當所述半導體結構為NLDMOS晶體管時，所述低阻輕摻雜源區的第一雜質離子為砷離子；當所述半導體結構為PLDMOS晶體管時，所述低阻輕摻雜源區的第一雜質離子為BF₂離子或銦離子。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，當所述半導體結構為PLDMOS晶體管時，所述低阻輕摻雜源區的方塊電阻為1K歐姆～2K歐姆。

11.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，當所述半導體結構為NLDMOS晶體管時，所述低阻輕摻雜源區的方塊電阻為600歐姆～1.2K歐姆。

12.如權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，體區連接區的光掩模圖形為正方形，且所述正方形光掩模圖形的邊緣與側墻的邊緣呈45度。

13.如權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，還包括位于體區連接區表面的導電插塞，兩個側墻邊緣之間的間距等于側墻與導電插塞之間最小間距的兩倍與導電插塞的寬度兩者之和。