[發明專利]封裝方法有效
| 申請號: | 201410284034.8 | 申請日: | 2014-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN105321828B | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | 許哲瑋;許詩濱 | 申請(專利權)人: | 恒勁科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 方法 | ||
1.一種封裝方法,其特征在于,其步驟包括:
提供一金屬承載板,其具有相對的一第一表面與一第二表面;
在該金屬承載板的該第二表面上形成一第一導線層;
在該第一導線層上形成一第一導電柱層;
應用真空壓合制程將一介電材料層壓合于該金屬承載板的該第二表面,以使該介電材料層包覆該第一導線層、該第一導電柱層與該金屬承載板的該第二表面的全部外露表面;
露出該第一導電柱層的一端;
在露出的該第一導電柱層的一端上形成一第二導線層;
在該介電材料層與該第二導線層上形成一防焊層;以及
移除該金屬承載板。
2.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,其還包括:
提供一第一外接元件,其設置并電性連結于該第一導線層的一第一表面上;
形成一外部鑄模化合物層,其包覆于該第一外接元件與該第一導線層的該第一表面上;
在該第二導線層上形成復數個導電元件;及
形成一第二外接元件,其設置并電性連結于復數個導電元件上。
3.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于:在該第一導線層上形成該第一導電柱層之前的步驟包括:
在該金屬承載板的該第二表面上形成一第一光阻層,在該金屬承載板的該第一表面上形成一第二光阻層;
在該金屬承載板的該第二表面上形成該第一導線層;
在該第一光阻層與該第一導線層上形成一第三光阻層;
移除該第三光阻層的部分區域以露出該第一導線層;
在該第一導線層上形成該第一導電柱層;及
移除該第一光阻層、該第二光阻層與該第三光阻層。
4.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于:該介電材料層是一樹脂材質、一氮化硅材質或一氧化硅材質。
5.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于:該第一導線層與該第二導線層包括至少一走線或至少一晶片座。
6.根據權利要求2所述的封裝方法,其特征在于:該第一外接元件是一主動元件、一被動元件、一半導體晶片、一軟性電路板或一印刷電路板。
7.根據權利要求2所述的封裝方法,其特征在于:該第二外接元件是一主動元件、一被動元件、一半導體晶片、一軟性電路板或一印刷電路板。
8.根據權利要求2所述的封裝方法,其特征在于:形成該外部鑄模化合物層的步驟包括:
提供一鑄模化合物,其中該鑄模化合物具有樹脂及粉狀的二氧化硅;
加熱該鑄模化合物至液體狀態;
在該金屬承載板的該第二表面上注入呈液態的該鑄模化合物,該鑄模化合物在高溫和高壓下包覆該第一導線層與該第一外接元件;及
固化該鑄模化合物,使該鑄模化合物形成該外部鑄模化合物層。
9.根據權利要求2所述的封裝方法,其特征在于:該導電元件是一金屬焊球。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





