[發明專利]一種刻蝕方法

有效

• 申請號: 201410281023.4
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN105405762B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 趙圣哲
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種刻蝕方法，用于對用來制造溝槽VDMOS器件的第一半成品進行加工，所述第一半成品包括有第一襯底，以及在所述第一襯底上形成的外延層，在所述外延層中至少形成有第一體區，在所述第一體區中至少形成有第一源區及與所述第一源區相鄰的第二源區，以及通過在所述第一源區向下刻蝕形成的第一溝槽和通過在所述第二源區向下刻蝕形成的第二溝槽，其特征在于，所述方法包括：

在所述第一半成品的上表面生長柵氧層及第一多晶硅層；

減薄所述第一多晶硅層，以形成一預設厚度的剩余多晶硅層；

對所述剩余多晶硅層進行光刻及刻蝕，以至少在所述第一溝槽形成第一多晶硅柵極以及在所述第二溝槽形成第二多晶硅柵極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述減薄所述第一多晶硅層，具體為：

以干法刻蝕，濕法刻蝕或物理方式減薄所述第一多晶硅層。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述減薄所述第一多晶硅層，以形成一預設厚度的剩余多晶硅層，具體為：

減薄所述第一多晶硅層，使形成的所述剩余多晶硅層的厚度為5000埃至6000埃。

4.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于，在所述對所述剩余多晶硅層進行光刻及刻蝕，以至少在所述第一溝槽形成第一多晶硅柵極以及在所述第二溝槽形成第二多晶硅柵極之后，所述方法還包括：

沉積形成一預設厚度的介質層；

光刻及刻蝕所述介質層，以形成與所述溝槽VDMOS器件的功能對應的至少一個接觸孔。