[發明專利]摻雜柵極和源漏極的方法及半導體器件的制備方法

有效

• 申請號: 201410280322.6
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN105448685B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 吳永玉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/265
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種摻雜柵極和源漏極的方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供形成有預備柵極（20”）的襯底（10）；

快速熱退火處理所述形成有預備柵極（20”）的襯底（10）；

在所述襯底（10）表面上，形成環繞所述預備柵極（20”）設置的抗反射層（30）；

對所述預備柵極（20”）進行第一次離子注入，形成過渡柵極（20’）；

去除所述抗反射層（30），

對所述過渡柵極（20’）和所述過渡柵極（20’）兩側的襯底（10）進行第二次離子注入，以形成所述柵極（20）和位于所述柵極（20）兩側的源極（110）和漏極（120）；

其中，所述抗反射層（30）為固體抗反射層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述抗反射層（30）的步驟包括：

在所述襯底（10）上形成覆蓋所述預備柵極（20”）的預備抗反射層（30’）；以及

去除位于所述預備柵極（20”）上方的所述預備抗反射層（30’），形成所述抗反射層（30）。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，去除位于所述預備柵極（20”）上方的所述預備抗反射層（30’）的步驟中，平坦化處理形成上表面與所述預備柵極（20”）的上表面平齊的所述抗反射層（30）。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述預備抗反射層（30’）的厚度為2000~5000?。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述抗反射層（30）的步驟前，還包括在所述預備柵極（20”）的側壁上形成側壁層（210）的步驟。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述抗反射層（30）的材料不同于所述側壁層（210）的材料。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，所述抗反射層（30）為通過化學氣相沉積法形成的氧化物層、氮氧化物層或石墨層。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述氧化物層為二氧化硅層，所述氮氧化物層為氮氧化硅層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述抗反射層（30）的方法為干法刻蝕、濕法刻蝕，或者干法刻蝕與濕法刻蝕混用。

10.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一次離子注入和所述第二次離子注入的步驟中，所注入的離子為N型元素或P型元素。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述N型元素為磷或砷，所述P型元素為硼或銦。

12. 根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一次離子注入的能量范圍為1000ev~10000 ev；所述第二次離子注入的能量范圍小于25000 ev。

13.一種半導體器件的制備方法，包括摻雜柵極和源漏極的步驟，其特征在于，所述摻雜柵極和源漏極的步驟中，采用的是權利要求1至12中任一項所述的摻雜柵極和源漏極的方法。