[發明專利]一種仿生雙面受光太陽能電池的制作工藝

有效

• 申請號: 201410278259.2
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN104051575A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 孟祥海;錢金梁;孫廣印;陳斌;王步峰
• 申請（專利權）人: 潤峰電力有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種仿生雙面受光太陽能電池的制作工藝，采用以下順序工藝步驟：步驟一，將晶硅硅片表面進行制絨，降低表面反射率；

步驟二，將制絨后硅片進行通磷源和推進，本步驟只進行通源工序，不進行推進工序；

步驟三，將擴散后硅片進行濕法刻蝕，去除背面N+層；

步驟四，將濕法刻蝕后的硅片進行原子層沉積，使硅片背面生長一層氧化鋁薄膜；

步驟五，將原子層沉積后的硅片在高溫管內進行通氧退火工藝，將氧化鋁薄膜中的殘留甲基去除，同時熱氧化發射極的表面，同時完成推進工序，在硅片表面形成氧化硅鈍化層；

步驟六，將原子層沉積后的硅片進行板式等離子增強化學氣相沉積，在雙面生長氮化硅薄膜；

步驟七，將生長完氮化硅的硅片進行激光劃線，在硅片背面按照仿生圖像將表面的氮化硅去除；

步驟八，將激光加工后的硅片進行印刷，正面采用銀柵線，背面采用鋁柵線覆蓋激光劃線；

步驟九，將印刷后的硅片進行燒結。

2.根據權利要求1所述的一種仿生雙面受光太陽能電池的制作工藝，其特征在于所述的退火高溫管為擴散管，且只針對原子層沉積的氧化鋁薄膜進行退火，退火時退火溫度為550~650℃，退火時間為10~30分鐘。

3.根據權利要求1所述的一種仿生雙面受光太陽能電池的制作工藝，其特征在于所述的氧化鋁薄膜的厚度為5~10納米，原子層沉積時沉積腔溫度為200~250℃，生長速率為1.16?/cycle，氧化鋁薄膜的結晶態為非晶，沉積時的三甲基鋁和水蒸氣在氮氣中濃度比例為1:5。

4.根據權利要求1所述的一種仿生雙面受光太陽能電池的制作工藝，其特征在于所述的板式等離子增強化學氣相沉積所生長的氮化硅薄膜，其中反面氮化硅薄膜的厚度為40~80納米，正面氮化硅薄膜的厚度為78~82納米，折射率為2.0~2.1。

5.根據權利要求1所述的一種仿生雙面受光太陽能電池的制作工藝，其特征在于所述的印刷工序中，正面印刷采用90根細柵，3根鏤空主柵；電池背面采用鋁柵線仿生圖像印刷代替鋁背場印刷，鋁柵線的寬度為100~300微米，鋁線間距在0.8~1.5毫米鋁線印刷高度大于20微米，背極采用三柵的非鏤空圖案，背極寬度為1.5毫米，正反面主柵均為銀材質。