[發明專利]顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201410277138.6
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN104280948A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 蔡景泰;李善旭;李忠爀;林泰佑;趙敦瓚
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王占杰;譚昌馳

技術領域

實施例涉及顯示裝置及其制造方法，更具體地，涉及能夠減少保留的液晶的數量的顯示裝置及其制造方法。

背景技術

顯示裝置是目前廣泛使用的計算機監視器、電視、移動電話等所需的。顯示裝置可以包括例如陰極射線管顯示裝置、液晶顯示器、等離子體顯示裝置等。

液晶顯示器是目前使用的最常見類型的平板顯示器中的一種，其包括具有場發生電極(諸如，像素電極、公共電極等)的兩片顯示面板和布置在它們之間的液晶層。液晶顯示器通過向場發生電極施加電壓在液晶層中產生電場，以通過產生的電場控制液晶層的液晶分子的取向并且控制入射光的偏振，從而顯示圖像。

液晶顯示器的這兩片顯示面板可以包括薄膜晶體管陣列面板和對向顯示面板。在薄膜晶體管陣列面板中，傳遞柵極信號的柵極線和傳遞數據信號的數據線被形成為彼此交叉，并可以形成與柵極線和數據線連接的薄膜晶體管、與薄膜晶體管連接的像素電極等。在對向顯示面板中，可以形成阻光構件、濾色器、公共電極等。在一些情況下，阻光構件、濾色器和公共電極可以形成在薄膜晶體管陣列面板上。

發明內容

示例性實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基板，包括多個像素區；薄膜晶體管，設置在基板上；第一絕緣層，設置在薄膜晶體管上；像素電極，與薄膜晶體管連接并且設置在第一絕緣層上；公共電極，設置在像素電極上并且通過微腔與像素電極分隔；第二絕緣層，設置在公共電極上；頂層，設置在第二絕緣層上，頂層的厚度是大約4μm至大約50μm；注入孔，穿過公共電極、第二絕緣層和頂層，注入孔暴露微腔的一部分；液晶層，填充微腔；覆蓋件，在頂層上并且延伸到注入孔中，覆蓋件密封微腔。

頂層的厚度可以等于或大于大約8μm。

頂層和第二絕緣層之間的角度可以在大約30°至大約90°的范圍內。

頂層和第二絕緣層之間的角度可以是大約45°。

頂層的傾斜表面可以具有階梯形狀。

顯示裝置還可以包括設置在頂層上的防水層。

第二絕緣層可以由氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一個制成。

顯示裝置還可以包括在頂層上形成的第三絕緣層。

第三絕緣層可以由氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一個制成。

另一個示例性實施例提供了一種顯示裝置的制造方法，所述方法包括：在基板上形成薄膜晶體管；在薄膜晶體管上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成與薄膜晶體管連接的像素電極；在像素電極上形成犧牲層；在犧牲層上形成公共電極；在公共電極上形成第二絕緣層；通過將有機材料施加到第二絕緣層上并且將有機材料圖案化來形成頂層；暴露犧牲層；通過去除被暴露的犧牲層在像素電極和公共電極之間形成微腔；通過將液晶材料注入微腔中來形成液晶層；通過在頂層上形成覆蓋件來密封微腔，頂層的厚度為大約4μm至大約50μm。

所述方法還可以包括在形成的頂層上形成防水層。

所述方法還可以包括通過將第三絕緣層圖案化來去除直接形成在犧牲層上的第三絕緣層。

將犧牲層灰化，此后，可以形成第三絕緣層。

在犧牲層的灰化期間，直接設置在犧牲層上的第三絕緣層可以被剝離。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施例，對于本領域的普通技術人員來講，特征將變得清楚，其中：

圖1示出根據示例性實施例的顯示裝置的平面圖。

圖2示出根據示例性實施例的顯示裝置的一個像素的平面圖。

圖3示出沿著圖1的III-III線的剖視圖。

圖4示出沿著圖1的IV-IV線的剖視圖。

圖5至圖10示出根據示例性實施例的在顯示裝置的制造方法中的階段的剖視圖。

圖11至圖13示出根據其它示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。

圖14至圖16示出根據示例性實施例的顯示裝置中的液晶余量的模擬結果。

具體實施方式

現在將在下文中參照附圖更充分地描述示例實施例；然而，這些實施例可以用不同形式來實施，并且不應該被解釋為限于這里闡明的實施例。相反地，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完全的，并且將把示例性實現方式充分傳達給本領域的技術人員。