[發(fā)明專(zhuān)利]顯示裝置及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410277138.6
• 申請(qǐng)日: 2014-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104280948A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡景泰;李善旭;李忠爀;林泰佑;趙敦瓚
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1343
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 王占杰;譚昌馳

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基板，包括多個(gè)像素區(qū)；

薄膜晶體管，設(shè)置在基板上；

第一絕緣層，設(shè)置在薄膜晶體管上；

像素電極，與薄膜晶體管連接并且設(shè)置在第一絕緣層上；

公共電極，設(shè)置在像素電極上并且通過(guò)微腔與像素電極分隔；

第二絕緣層，設(shè)置在公共電極上；

頂層，設(shè)置在第二絕緣層上，頂層的厚度是4μm至50μm；

注入孔，穿過(guò)公共電極、第二絕緣層和頂層，注入孔暴露微腔的一部分；

液晶層，填充微腔；以及

覆蓋件，在頂層上并且延伸到注入孔中，覆蓋件密封微腔。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，頂層的厚度是8μm至50μm。

3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，頂層和第二絕緣層之間的角度是45°。

4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，頂層和第二絕緣層之間的角度是30°至90°。

5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，頂層和第二絕緣層之間的角度是45°。

6.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，頂層的傾斜表面具有階梯形狀。

7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括設(shè)置在頂層上的防水層。

8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，第二絕緣層包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一個(gè)。

9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括位于頂層上的第三絕緣層。

10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，第三絕緣層包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一個(gè)。

11.一種顯示裝置的制造方法，所述方法包括：

在基板上形成薄膜晶體管；

在薄膜晶體管上形成第一絕緣層；

在第一絕緣層上形成與薄膜晶體管連接的像素電極；

在像素電極上形成犧牲層；

在犧牲層上形成公共電極；

在公共電極上形成第二絕緣層；

通過(guò)將有機(jī)材料施加到第二絕緣層上并且將有機(jī)材料圖案化來(lái)形成頂層，頂層的厚度是4μm至50μm；

暴露犧牲層；

通過(guò)去除被暴露的犧牲層，在像素電極和公共電極之間形成微腔；

通過(guò)將液晶材料注入微腔中來(lái)形成液晶層；

通過(guò)在頂層上形成覆蓋件來(lái)密封微腔。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，頂層的厚度等于或大于8μm。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，頂層和第二絕緣層之間的角度是30°至90°。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，頂層和第二絕緣層之間的角度是45°。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，頂層的傾斜表面具有階梯形狀。

16.如權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括在形成的頂層上形成防水層。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括通過(guò)將第三絕緣層圖案化來(lái)去除直接形成在犧牲層上的第三絕緣層。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，將犧牲層灰化，此后，形成第三絕緣層。

19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，在犧牲層的灰化期間，直接設(shè)置在犧牲層上的第三絕緣層被剝離。