[發明專利]引線框架及其形成方法、芯片封裝方法

有效

• 申請號: 201410277040.0
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN105206534B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 陳達志;鄭敏誠;淮永進;郭艷飛
• 申請（專利權）人: 先進科技新加坡有限公司;北京燕東微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/495
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 潘煒;田軍鋒

本發明提供了一種引線框架及其形成方法、芯片封裝方法，其中，所述引線框架具有用于放置芯片的位置，所述引線框架的形成方法包括：提供基片；去除所述基片的一部分形成預留空間，從而形成第一結構；對所述第一結構進行沖壓，所述第一結構延展至所述預留空間，形成第二結構；對所述第二結構和所述基片進行修整，分別形成第三結構和第四結構，所述第三結構和第四結構在芯片位置的相對側具有不在同一平面的表面，所述第三結構的厚度小于第四結構的厚度。本發明的引線框架所形成的封裝體厚度小。

技術領域

本發明涉及半導體器件封裝領域，尤其涉及一種引線框架、引線框架的形成方法和芯片封裝方法。

背景技術

引線框架是封裝技術中的一種重要基礎結構。它在電路中主要起承載IC芯片、連接芯片與外部線路板信號、以及安裝固定的作用等。

隨著電子元件的小型化、輕量化及多功能化的需求日漸增加，半導體封裝密度不斷增加，因而需要縮小封裝尺寸。

發明內容

本發明解決的問題是現有技術引線框架形成的封裝體尺寸較大。

為解決上述問題，本發明實施例提供了一種引線框架的形成方法，所述引線框架具有用于放置芯片的位置，所述引線框架的形成方法包括：提供基片；去除所述基片的一部分形成預留空間，從而形成第一結構；對所述第一結構進行沖壓，所述第一結構延展至所述預留空間，形成第二結構；對所述第二結構和所述基片進行修整，分別形成第三結構和第四結構，所述第三結構和第四結構在芯片位置的相對側具有不在同一平面的表面，所述第三結構的厚度小于第四結構的厚度。

可選地，所述第三結構和第四結構各自包含同一個部件的不同部分，所述同一個部件的分別屬于第三結構和第四結構的不同部分之間形成臺階。

可選地，所述預留空間的尺寸根據所述基片的厚度、所述第三結構的面積及厚度確定。

可選地，所述第二結構的厚度為所述基片厚度的30％～70％。

可選地，所述第二結構的的厚度為所述基片厚度的50％。

本發明實施例還提供了一種引線框架的形成方法，所述引線框架具有用于放置芯片的位置，所述引線框架的形成方法包括：提供基片；對所述基片的一部分進行減薄；對所述部分經過減薄的基片進行裁剪，分別形成第一結構和第二結構，所述第一結構和第二結構在芯片位置的相對側具有不在同一平面的表面，所述第一結構的厚度小于第二結構的厚度。

可選地，所述第一結構和第二結構各自包含同一個部件的不同部分，所述同一個部件的分別屬于第一結構和第二結構的不同部分之間形成臺階。

可選地，所述減薄采用刻蝕方法進行。

可選地，所述減薄采用沖壓方法進行。

可選地，所述減薄的厚度為所述基片厚度的30％～70％。

可選地，所述減薄的厚度為所述基片厚度的50％。

本發明實施例還提供了一種采用如上方法形成的引線框架。

本發明實施例還提供了一種引線框架，所述引線框架具有放置芯片的位置，所述引線框架包括：第一結構和第二結構，其中，所述第一結構的厚度小于所述第二結構的厚度，所述第一結構和第二結構在芯片位置的相對側具有不在同一平面的表面。

可選地，所述第一結構和第二結構各自包含同一個部件的不同部分，所述同一個部件的分別屬于第一結構和第二結構的不同部分之間形成臺階。

可選地，所述第一結構的厚度為所述第二結構厚度的30％～70％。

可選地，所述第一結構的厚度為所述第二結構厚度的50％。