[發明專利]引線框架及其形成方法、芯片封裝方法

有效

• 申請號: 201410277040.0
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN105206534B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 陳達志;鄭敏誠;淮永進;郭艷飛
• 申請（專利權）人: 先進科技新加坡有限公司;北京燕東微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/495
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 潘煒;田軍鋒

1.一種引線框架的形成方法，所述引線框架具有用于放置芯片的位置，其特征在于，包括：

提供基片和引線框架圖案，所述引線框架圖案包括第一部分和第二部分，且所述引線框架圖案與待形成的引線框架的形狀相對應；

根據所述引線框架圖案去除所述基片的一部分形成預留空間，從而形成與所述引線框架圖案的第一部分相對應的第一結構，所述預留空間位于所述第一結構的外圍；

對所述第一結構進行沖壓，所述第一結構延展至所述預留空間，形成第二結構；

根據所述引線框架圖案對所述第二結構和所述基片進行修整，分別形成與所述引線框架圖案的第一部分和第二部分對應的第三結構和第四結構，所述第三結構和第四結構在芯片位置的相對側具有不在同一平面的表面，所述第三結構的厚度小于第四結構的厚度。

2.如權利要求1所述的引線框架的形成方法，其特征在于，所述第三結構和第四結構各自包含同一個部件的不同部分，所述同一個部件的分別屬于第三結構和第四結構的不同部分之間形成臺階。

3.如權利要求1所述的引線框架的形成方法，其特征在于，所述預留空間的尺寸根據所述基片的厚度、所述第三結構的面積及厚度確定。

4.如權利要求1所述的引線框架的形成方法，其特征在于，所述第二結構的厚度為所述基片厚度的30％～70％。

5.如權利要求4所述的引線框架的形成方法，其特征在于，所述第二結構的厚度為所述基片厚度的50％。

6.如權利要求1所述的引線框架的形成方法，其特征在于，對所述第一結構進行沖壓的步驟用于使所述第一結構的厚度減薄。