[發明專利]一種制作閃存的方法

有效

• 申請號: 201410276470.0
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN105206579B
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發明（設計）人: 曹恒;楊海玩;劉濤;周朝鋒;仇圣棻
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L21/265
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種制作閃存的方法，包括：

提供半導體襯底，對所述半導體襯底執行阱注入工藝；

在所述半導體襯底上形成柵極堆疊結構；

執行注入工藝，以在所述半導體襯底中所述柵極堆疊結構的兩側形成源區和漏區；

其中，所述注入工藝包括口袋注入，所述口袋注入避免了熱處理工藝對器件溝道摻雜輪廓的影響，減小了溝道電容從而減少了編程電壓干擾。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述口袋注入用于調整溝道的閾值電壓。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述口袋注入的摻雜劑包括硼。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述口袋注入的傾斜角度范圍為0°～10°。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述口袋注入的能量為5KeV～10KeV，離子劑量為1e¹³～5e¹⁴原子/cm²。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極疊層結構從下而上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵介電層和控制柵。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述源區和所述漏區的注入摻雜劑包括砷。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述柵極堆疊結構之后執行氧化工藝的步驟。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在執行所述注入工藝之后執行退火工藝的步驟。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述柵極堆疊結構之前，所述方法不包括用于調整所述溝道閾值電壓的離子注入步驟。