[發明專利]基于超低K電介質的互連結構的制造方法及制造的產品

有效

• 申請號: 201410275812.7
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN105336665B
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發明（設計）人: 張海洋;周俊卿
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311;H01L23/522
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張東梅

1.一種基于超低K電介質的互連結構的制造方法，包括：

在襯底上依次形成超低K電介質層和掩膜層；

圖案化所述掩膜層；

以圖案化后的掩膜層為掩膜，蝕刻所述超低K電介質層，所述蝕刻包括執行至少一次下述步驟：i)蝕刻所述超低K電介質層，所述蝕刻產生副產品聚合物；ii)停止所述蝕刻，向蝕刻室充入所述副產品聚合物，以密封經蝕刻所述超低K電介質層的側壁。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，當蝕刻至預定深度時，停止所述蝕刻。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述預定深度是所述超低K電介質層的厚度。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述超低K電介質層的介電常數不大于2.6。

5.如權利要求1所述的方法，還包括執行退火步驟，以去除所述副產品聚合物。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述超低K電介質的材料為納米多孔二氧化硅，所采用的蝕刻氣體為氮氣、氬氣和四氟化碳的混合氣體。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述副產品聚合物包括SiF₄。

8.如權利要求3所述的方法，其特征在于，在襯底和超低K電介質層之間還形成有襯墊層。

9.如權利要求8所述的方法，還包括：在停止蝕刻后，蝕刻襯墊，以在襯墊中形成開口。

10.一種半導體器件，包括通過權利要求1至9中的任一項所述方法制造的超低K電介質結構。