[發明專利]用于處理載體的方法和電子部件在審
| 申請號: | 201410274878.4 | 申請日: | 2014-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN104241093A | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發明(設計)人: | K.普呂格爾;G.魯爾 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張濤;胡莉莉 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 載體 方法 電子 部件 | ||
技術領域
各個實施例一般涉及用于處理載體的方法,以及電子部件。
背景技術
一般地,利用半導體行業的典型處理,形成很薄的材料層,例如,具有層厚在納米級,或者甚至層厚小于1納米的材料層非常有挑戰性。然而,對電子器件和集成電路技術來說,所謂的二維材料非常有吸引力。例如,包括成六邊形布置的一層碳原子的石墨烯具有優良的電子特性,使例如具有增加的響應和/或開關行為的晶體管的制造成為可能。此外,與對應的塊體材料相比,超薄的材料層具有增強的特性。于是,二維材料對于微電子學,例如,對于開發各種類型的傳感器、晶體管等而言可能很重要,其中富有挑戰性的任務可能是把這些二維材料并入到微芯片中以用于模擬普通的硅技術。
發明內容
在各個實施例中,提供一種用于處理載體的方法。所述用于處理載體的方法可包括:在載體上形成第一催化金屬層;在第一催化金屬層上形成源層;在源層上形成第二催化金屬層,其中第二催化金屬層的厚度大于第一催化金屬層的厚度;隨后進行退火,以使得能夠進行材料從源層的擴散,從而由源層的擴散材料形成與載體的表面鄰接的界面層。
附圖說明
附圖中,相同的附圖標記貫穿不同的視圖一般提及相同的部分。附圖不一定是按比例的,相反,一般地重點被放在圖解本發明的原理上。在下面的描述中,參照下面的附圖來描述本發明的各個實施例,附圖中:
圖1示出按照各個實施例的用于處理載體的方法的示例性流程圖;
圖2A-2F分別示出按照各個實施例,在用于處理載體的方法期間的各個處理階段的載體;
圖3A和3B分別示出按照各個實施例,在用于處理載體的方法期間的各個處理階段的圖案化載體;
圖4A-4C分別示出按照各個實施例,在用于處理載體的方法期間的各個處理階段的載體;
圖5A和5B分別示出按照各個實施例,在用于處理載體的方法期間的各個處理階段的圖案化載體;以及
圖6示出注入塊體鎳材中的碳的示例性離子注入分布圖。
具體實施方式
下面的詳細描述提及隨附的附圖,所述附圖以圖解方式示出其中可實踐本發明的具體細節和實施例。
下面的詳細描述提及隨附的附圖,所述附圖以圖解方式示出其中可實踐本發明的具體細節和實施例。足夠詳細地描述了這些實施例,以使本領域的技術人員能夠實踐本發明。可以在不脫離本發明的范圍的情況下利用其它的實施例,并且可以作出結構、邏輯和電氣改變。各個實施例不一定相互排斥,因為一些實施例可以與一個或更多的其它實施例結合,從而形成新的實施例。關于各種方法描述了各個實施例,并且關于各種器件描述了各個實施例。然而,可以明白關于各種方法描述的各個實施例可類似地應用于各種器件,反之亦然。
這里,用語“示例性”被用于意味“充當例子、實例或圖解”。這里描述成“示例性”的實施例或設計不一定被解釋成優于或者比其它實施例或設計有利。
用語“至少一個”和“一個或更多個”可被理解成包括大于或等于1的任意整數,即1、2、3、4等。
用語“多個”可被理解成包括大于或等于2的任意整數,即2、3、4、5等。
這里用于描述在側面或表面之上形成特征,例如層的詞語“在…之上”可用于意味直接地在所暗指的側面或表面上,例如,與所暗指的側面或表面直接接觸地形成所述特征,例如所述層。這里用于描述在側面或表面之上形成特征,例如層的詞語“在…之上”可用于意味著在暗指的側面或表面和形成的層之間布置另外的一層或更多層的情況下,間接地在所暗指的側面或表面上形成所述特征,例如所述層。
用語“耦接”或“連接”可包括間接“耦接”或“連接”和直接“耦接”或“連接”這兩者。
一般地,材料的物理性質和化學性質并不排他地由其晶體結構和化學成分限定。由于材料的表面的物理性質,例如電性質(例如,能帶結構)不同于塊體材料的物理性質,因此有關某層或某個區域的物理性質可能存在巨大的差異,如果所述層或區域的至少一個空間擴展可被減少到納米級或者甚至亞納米級的話。在這種情況下,形成所述層或區域的相應材料的表面性質可支配所述層或區域的特性(例如,物理和化學性質)。在限制情況下,層或區域的至少一維可具有幾埃的空間擴展,所述幾埃的空間擴展可能是相應材料的正好一個單層的原子的空間擴展。所述單層可以是具有橫向擴展,和垂直于所述橫向擴展的層厚(或高度)的層,該層包括多個原子(或分子),其中該層具有一個單原子(或分子)的厚度(或高度)。換句話說,材料的單層可以不具有(沿著厚度或高度方向)布置在彼此之上的相同原子(或分子)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





