[發(fā)明專利]用于處理載體的方法和電子部件

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• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN104241093A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K.普呂格爾;G.魯爾
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張濤;胡莉莉

1.一種用于處理載體的方法，所述方法包括：

在載體上形成第一催化金屬層；

在第一催化金屬層上形成源層；

在源層上形成第二催化金屬層，其中第二催化金屬層的厚度大于第一催化金屬層的厚度；和

隨后進(jìn)行退火，以使得能夠進(jìn)行源層的材料的擴(kuò)散，以由源層的擴(kuò)散材料形成與載體的表面鄰接的界面層。

2.按照權(quán)利要求1所述的方法，

其中形成源層包括形成包括以下一組材料中的至少一種材料的層，該組由以下材料組成：

碳；

硅；和

鍺。

3.按照權(quán)利要求1所述的方法，

其中形成第一催化金屬層包括形成過渡金屬層。

4.按照權(quán)利要求1所述的方法，

其中形成第二催化金屬層包括形成過渡金屬層。

5.按照權(quán)利要求1所述的方法，

其中用和第二催化金屬層相同的材料，形成第一催化金屬層。

6.按照權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

去除退火載體的剩余催化金屬層，從而露出界面層。

7.按照權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在源層和第二催化金屬層之間，形成擴(kuò)散阻擋層。

8.按照權(quán)利要求7所述的方法，還包括：

去除退火載體的擴(kuò)散阻擋層，從而露出界面層。

9.按照權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在形成第一催化金屬層之前，使載體圖案化。

10.按照權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

調(diào)節(jié)催化金屬層的厚度，源層的厚度和退火，以使得在退火期間，形成保形界面層，所述保形界面層具有二維晶格結(jié)構(gòu)。

11.按照權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

調(diào)節(jié)催化金屬層的厚度，源層的厚度和退火，以使得在退火期間，形成一個或更多個保形單層，所述一個或更多個保形單層中的每個單層具有二維晶格結(jié)構(gòu)。

12.按照權(quán)利要求1所述的方法，

其中在存在氫的情況下，進(jìn)行退火。

13.按照權(quán)利要求1所述的方法，

其中在氣體氣氛中進(jìn)行退火，所述氣體氣氛包括氫。

14.按照權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

把氫引入催化金屬層中的至少一層中，以便在退火期間提供氫。

15.按照權(quán)利要求1所述的方法，

其中在電絕緣載體上，形成第一催化金屬層。

16.按照權(quán)利要求1所述的方法，

其中在二氧化硅表面層上，形成第一催化金屬層。

17.一種用于處理載體的方法，所述方法包括：

在包括催化材料的載體之上，形成第一區(qū)域；

在第一區(qū)域之上形成第二區(qū)域，所述第二區(qū)域包括要被擴(kuò)散的能夠形成二維晶格結(jié)構(gòu)的材料；

在第二區(qū)域之上形成第三區(qū)域，第三區(qū)域包括和第一區(qū)域相同的催化材料，其中第一區(qū)域的厚度小于第三區(qū)域的厚度；和

隨后進(jìn)行退火，以使得第二區(qū)域的材料擴(kuò)散形成與載體的表面鄰接的界面層，界面層的材料包括二維晶格結(jié)構(gòu)。

18.一種電子部件，包括：

提供三維表面結(jié)構(gòu)的電絕緣圖案化基層；和

布置在圖案化基板層之上的保形層，所述保形層是具有二維晶格結(jié)構(gòu)的材料的單層，其中保形層使得能夠進(jìn)行沿著圖案化基層的表面的空間上受限的電荷載流子輸運(yùn)。

19.按照權(quán)利要求18所述的電子部件，

其中保形層使得能夠進(jìn)行沿著至少一個空間方向的在小于1nm的區(qū)域中的空間上受限的電荷載流子輸運(yùn)。

20.按照權(quán)利要求18所述的電子部件，

其中保形層和圖案化基層被配置成在保形層中引入內(nèi)部應(yīng)力，以改變具有二維晶格結(jié)構(gòu)的材料的物理性質(zhì)。

21.按照權(quán)利要求18所述的電子部件，

其中圖案化基層包括多個凹槽，所述多個凹槽形成三維表面結(jié)構(gòu)。