[發(fā)明專利]一種納米壓印鎳印章的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410274112.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104073857A | 公開(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡星;范忠輝;凌志遠(yuǎn);王凱 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C25D11/04 | 分類號(hào): | C25D11/04;C25D1/10;G03F1/80;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 陳文姬 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 壓印 印章 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及納米壓印技術(shù),特別涉及一種納米壓印鎳印章的制備方法。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,越來(lái)越多的器件發(fā)展到了納米尺度,常規(guī)的半導(dǎo)體光刻技術(shù)由于衍射極限的限制而受到了極大的挑戰(zhàn),發(fā)展有效的、便捷的納米圖形的制作方式迫在眉睫。聚焦離子束光刻、電子束光刻和X射線光刻等光刻技術(shù),設(shè)備昂貴且不適合用作制作大面積的圖形;軟壓印技術(shù)在制備大面積圖案時(shí)也存在一定的問題,如壓印時(shí)模具與基片之間很難完美的粘合,且圖形轉(zhuǎn)移效率很低,如專利200710099102.3。硬壓印技術(shù)因制備過程簡(jiǎn)單且價(jià)格低廉而被廣泛關(guān)注,如專利201010136265.6,所用硬模板相對(duì)于軟模板,具有機(jī)械強(qiáng)度高、不易變形和可重復(fù)利用等優(yōu)點(diǎn)。硬模板常用電子束光刻來(lái)制作,但方法耗時(shí)且昂貴,不適合大批量制造,所用的材料常為硅或石英等,脆性大無(wú)法多次使用。
陽(yáng)極氧化鋁模板具有高度有序的孔道陣列,而且孔徑和孔間距可調(diào),但是其本身脆性大,利用高度有序陽(yáng)極氧化鋁模板制備韌性大、硬度高的壓印用硬模板具有非常重要意義。傳統(tǒng)電鑄技術(shù)不僅應(yīng)用于塑料成型的模具制造、復(fù)雜零件的電鑄成型等,在微精細(xì)加工行業(yè)也發(fā)揮著重要作用。氨基磺酸鹽法制備的電鑄鎳,不存在內(nèi)應(yīng)力且具有高的機(jī)械強(qiáng)度和韌性,常用來(lái)制造復(fù)雜產(chǎn)品和復(fù)型零部件的精細(xì)表面。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)與不足,本發(fā)明的目的在于提供一種納米壓印鎳印章的制備方法,獲得的鎳印章納米鎳陣列高度有序,且形狀可調(diào)、長(zhǎng)度可調(diào)。
本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種納米壓印鎳印章的制備方法,包括以下步驟:
(1)對(duì)鋁材進(jìn)行去油,表面清洗及拋光處理;
(2)在電解液中以鋁材為陽(yáng)極,惰性材料為陰極,通過電壓源對(duì)鋁材進(jìn)行恒壓陽(yáng)極氧化,電壓為100~200V,溫度為0~10℃,在鋁材上形成陽(yáng)極氧化鋁膜;
(3)通過化學(xué)腐蝕完全去除陽(yáng)極氧化鋁膜,獲得具有有序凹坑的鋁材;
(4)在電解液中以步驟(3)處理后鋁材為陽(yáng)極,惰性材料為陰極,通過電壓源對(duì)鋁材進(jìn)行恒壓陽(yáng)極氧化,電壓為100~200V,溫度為0~10℃,在鋁材上形成陽(yáng)極氧化鋁膜;
(5)將步驟(4)得到的陽(yáng)極氧化鋁膜在質(zhì)量百分比為1~30%磷酸中0~40℃下擴(kuò)孔5~40分鐘;
(6)通過化學(xué)鍍鎳使步驟(5)中獲得的陽(yáng)極氧化鋁膜導(dǎo)電化,得到導(dǎo)電陽(yáng)極氧化鋁;
(7)在步驟(6)中獲得的導(dǎo)電陽(yáng)極氧化鋁上電鑄鎳;
(8)通過直接剝離法或化學(xué)腐蝕法去除陽(yáng)極氧化鋁和鋁,獲得具有錐形陣列的鎳印章。
所述的納米壓印鎳印章的制備方法,在進(jìn)行步驟(5)之后,重復(fù)進(jìn)行步驟(4)~(5)1~4次,然后進(jìn)行步驟(6)。
所述電解液為質(zhì)量百分比為1%~10%的磷酸電解液。
步驟(3)所述化學(xué)腐蝕,具體為:
在溫度為70℃進(jìn)行化學(xué)腐蝕,所用腐蝕液為由50mL/L的磷酸和30g/L的三氧化鉻組成的混合液。
步驟(6)所述化學(xué)鍍鎳,具體包括:
(6-1)活化:將陽(yáng)極氧化鋁膜在35~50℃的活化液中放置1~10分鐘;
(6-2)解膠:將活化后的陽(yáng)極氧化鋁膜清洗,然后在40~55℃的解膠液中浸泡2~10分鐘;
(6-3)化學(xué)鍍:將解膠后的陽(yáng)極氧化鋁膜清洗,然后在80~90℃的化學(xué)鍍液中浸泡2~10分鐘;
步驟(7)所述電鑄鎳,具體為:
將導(dǎo)電陽(yáng)極氧化鋁膜作為陽(yáng)極,鎳塊作為陰極,電鑄電壓在0~-1V保持10~30分鐘,然后在10~120秒內(nèi),降到-2.2~-2.8V保持1~3小時(shí);
其中,電鑄液配方為:295~522g/L氨基磺酸鎳,5~30g/L氯化鎳,30~45g/L硼酸。
所述活化液的配方為:1g/L氯化鈀,72g/L氯化亞錫,7g/L亞錫酸鈉,300mL/L鹽酸。
所述解膠液的配方為:10%鹽酸;化學(xué)鍍液配方為18~21g/L硫酸鎳,20~25g/L次磷酸鈉,12~18g/L乙酸鈉,4~10g/L檸檬酸,4~10g/L丁二酸。
步驟(2)得到的陽(yáng)極氧化鋁膜厚度為10~60微米。
步驟(4)得到的陽(yáng)極氧化鋁膜厚度為300納米~5微米。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果:
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