[發明專利]一種同時改善STI和FG Poly填充空洞的閃存器件工藝方法

在審

• 申請號: 201410273891.8
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN105470201A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: 殷冠華;陳廣龍;邢芝鳩
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/762;H01L21/28
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種同時改善STI和FGPoly填充空洞的閃存器件工藝方法， 其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，設計閃存器件；

步驟2，通過調整隔離淺槽的開口形貌來調整STI填充空洞，并 建立隔離淺槽的開口形貌與STI填充空洞的關系；

步驟3，通過調整PADSiN的厚度來調整FGPoly填充空洞，并 建立PADSiN的厚度和FGPoly填充空洞的關系；

步驟4，通過隔離淺槽的開口形貌與STI填充空洞的關系以及PAD SiN的厚度和FGPoly填充空洞的關系，選擇隔離淺槽的開口形貌與 PADSiN的厚度的組合。

2.如權利要求1所述的同時改善STI和FGPoly填充空洞的閃存 器件工藝方法，其特征在于，所述步驟2中的隔離淺槽的開口形貌呈 錐形。

3.如權利要求2所述的同時改善STI和FGPoly填充空洞的閃存 器件工藝方法，其特征在于，所述步驟2中通過選擇不同傾斜角度的 隔離淺槽的開口形貌來整隔離淺槽的開口形貌。

4.如權利要求3所述的同時改善STI和FGPoly填充空洞的閃存 器件工藝方法，其特征在于，所述步驟2中隔離淺槽的開口形貌的傾 斜角度越大，所述STI填充空洞越少。

5.如權利要求4所述的同時改善STI和FGPoly填充空洞的閃存 器件工藝方法，其特征在于，所述步驟4中隔離淺槽的開口形貌的傾 斜角度越大，所述STI填充空洞越少，所述FGPoly填充空洞越多。

6.如權利要求5所述的同時改善STI和FGPoly填充空洞的閃存 器件工藝方法，其特征在于，所述步驟4中，在所述隔離淺槽的開口 形貌與STI填充空洞的關系的基礎上，通過PADSiN的厚度和FG Poly填充空洞的關系，選擇隔離淺槽的開口形貌與PADSiN的厚度 的組合。

7.如權利要求6所述的同時改善STI和FGPoly填充空洞的閃存 器件工藝方法，其特征在于，所述步驟4中的PADSiN的厚度越小， 所述STI填充空洞越少，所述FGPoly填充空洞越少。