[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410273263.X
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN104090401B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 于海峰;黃海琴;劉家榮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 柴亮,張天舒

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備

方法、顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)是一種重要的平板顯示設備。根據驅動液晶的電場方向，可以分為垂直電場型和水平電場型。垂直電場型需要在陣列基板上形成像素電極，在彩膜基板上形成公共電極，如常用的TN模式；而水平電場型則需要在陣列基板上同時形成像素電極和公共電極；目前的水平電場型顯示技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優點。

現有的陣列基板主要包括薄膜晶體管、柵線、數據線、像素電極、公共電極。以下通過包括底柵型薄膜晶體管的陣列基板進行說明。

如圖1所示，該陣列基板包括是形成在基底1上的柵極2、柵線，以及公共電極線(三者同層、同材料)；形成在柵極2、柵線、公共電極線上方的柵極絕緣層3；形成在柵極絕緣層3上方的有源層4；形成在有源層4上方的源極5-1、漏極5-2，以及數據線10(三者同層、同材料)；形成在源極5-1、漏極5-2、數據線上方的平坦化層，形成在平坦化層上方并通過貫穿平坦化層的第一過孔與漏極5-2連接的板狀像素電極；形成在像素電極6上方的鈍化層；形成在鈍化層上方的狹縫狀公共電極8，該公共電極8通過貫穿鈍化層、平坦化層、柵極絕緣層的第二過孔與公共電極線12連接。其中，薄膜晶體管的柵極2、源極5-1、漏極5-2均采用金屬材料，像素電極6和公共電極8通常采用透明導電的氧化銦錫(ITO)材料。

通過上述結構發明人發現現有技術中的陣列基板至少存在如下問題：由于公共電極線本身電阻較大，所以當通過公共電極線給公共電極加載電壓時，由于公共電極線本身的電阻較大，故其會帶來(RC)信號延遲，以及公共電極線上產生壓降(IR drop)的問題；同時由于公共電極線與數據線存在交疊，必然存在較大的耦合電容，從而公共電極上的負載加大，導致公共電極上的波動較大，引起的綠附(greenish)較嚴重。

發明內容

本發明所要解決的技術問題包括，針對現有的陣列基板存在的上述的問題，提供一種緩解由于公共電極線電阻過大，導致信號延遲、失真問題的陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

解決本發明技術問題所采用的技術方案的實施方式包括：一種陣列基板，包括像素電極，設于像素電極上方的公共電極，以及與公共電極電性連接的公共電極線，其中，所述像素電極與所述公共電極之間相互絕緣設置，其中，所述陣列基板還包括第一電阻線層，以及設置在第一電阻線層上方且與第一電阻線層相互絕緣設置的第二電阻線層，

所述第一電阻線層設置在所述公共電極線上并與所述公共電極線接觸；

所述第二電阻線層通過貫穿所述第一電阻線層和所述第一電阻線層與所述第二電阻線層之間的絕緣層的過孔與所述公共電極線連接。

本發明實施方式的陣列基板中的公共電極線、第一電阻線層以及第二電阻線層并聯的結構，實質等同于現有技術中的公共電極線的結構，將公共電極線和第一電阻線層、第二電阻線層分別等效成電阻R1、R2、R3，公共電極線和第一電阻線層與第二電阻線層的電阻和為R4，由于公共電極線上設置有第一電阻線層，此時相當于電阻R1、R2、R3并聯，根據并聯電阻公式得知：R4＝1/R1+1/R2+1/R3，故R4小于R1、R2、R3中任何一個電阻的阻值。也就是說本實施例中公共電極線、第一電阻線層以及第二電阻線層的設置方式相當于降低了公共電極線的電阻，從而可以有效的緩解RC延遲的問題。

優選的是，所述第一電阻線層與所述像素電極同層間隔設置且材料相同。

優選的是，所述第二電阻線層與所述公共電極同層設置且材料相同，其中，第二電阻線層與所述公共電極連接。

優選的是，所述陣列基板還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的源極和漏極與數據線同層設置，且所述數據線與所述源極連接，所述數據線與所述公共電極線同層且平行設置。

進一步優選的是，所述薄膜晶體管的源極和漏極的材料與所述數據線、所述公共電極線的材料相同。

解決本發明技術問題所采用的技術方案的實施方式包括：一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板為上述陣列基板，所述陣列基板的制備方法包括：

在基底上通過構圖工藝形成包括公共電極線的圖形；

在完成上述步驟的基底上，通過構圖工藝形成包括與所述公共電極線接觸的第一電阻線層的圖形；