[發明專利]一種像素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201410272753.8
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN104049429B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 馬群剛
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 柏尚春

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其是涉及一種像素結構及其制造方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)是由陣列基板、彩色濾光片基板以及充滿于這兩塊基板之間的液晶共同形成的。陣列基板上的傳統像素結構，掃描線和公共電極線相互平行排列，同時跨過數據線與數據線交叉。這種結構在掃描線端子一側以及掃描線端子對面一側同時向顯示區域內的公共電極線導入公共電極電位。該結構采用由第一層金屬形成的公共電極線與像素電極形成存儲電容。

基于傳統像素結構的陣列基板，進入掃描線端子一側的公共電極電位來自于數據線端子模塊。這個公共電極電位通過與數據線同層的第二層金屬由上而下依次跨過每一條數據線把電位供給給所有的公共電極線。由于這條用于導入公共電極電位的第二層金屬線從數據線端子部引入公共電極電位后所跨過的距離很長，使得進入顯示區域前的公共電極線阻抗比較大。影響了公共電極線的電位供給能力。

在顯示單元中，公共電極線和像素電極之間形成的存儲電容中間隔著柵極絕緣層和鈍化層。由于隔著兩層絕緣薄膜，為了獲得較大的存儲電容值，通常的做法是增加公共電極線的面積，這樣就會降低顯示單元的開口率。

為了解決上述傳統像素結構中的缺陷，發明專利CN101334564A公開了一種可以降低公共電極線的阻抗、利用更窄的公共電極線形成存儲電容的像素結構。所用的技術方案是讓數據線和公共電極線相互平行排列，同時跨過掃描線與掃描線交叉，公共電極線所需的電位在每個數據線端子模塊的兩側分別引入，由數據線端子一側以及數據線端子的對面一側分別導入顯示區域。將傳統像素結構中由第一金屬層公共電極與像素電極形成的存儲電容改為由第二金屬層公共電極與像素電極形成存儲電容，減小了金屬公共電極線與像素電極之間的距離，增大了存儲電容。這樣就可以利用更窄的公共電極線來實現原來所需的存儲電容值。

發明專利CN101334564A公開的技術方案主要應用于扭曲向列相(TN)液晶顯示模式的像素結構，顯示品質有待改善；并且像素之間需要留出一定的間隙，犧牲了部分開口率。

隨著對顯示品質的不斷要求，垂直配向(Vertical?Alignment,VA)液晶顯示面板在高端液晶應用較多，屬于廣視角面板。在眾多的VA液晶顯示技術中，UV2A技術具有高透過率、高對比度及快速響應等優勢，并且相比IPS、FFS等其他廣視角技術具有高對比度的優點。然而，隨著面板解析度的要求越來越高，在現有UV2A技術上，需要再進一步提高透過率。

發明內容

有鑒于此，針對現有技術中的不足，本發明提供一種像素結構及其制作方法，本發明通過設置存儲電極，且在像素與像素之間的邊界區域配置所述存儲電極與公共電極線形成的存儲電容，本發明不僅可以增大存儲電容區域，還可以通過公共電極線起到像素邊界遮光的效果。

優選地，一種像素結構，其包括：一基板，其上設置有：第一公共電極線，具有一縫隙的非連續分布線；第二公共電極線，與該第一公共電極線交叉設置圍成像素區域；一數據線，設置在該像素區域的垂直方向上，且穿過該第一公共電極線的該縫隙；一掃描線，設置在該像素區域的水平方向上，且與該數據線彼此交叉設置；一主動元件，設置于該數據線與該掃描線交叉區域；一像素電極，且通過一第一接觸孔與該主動元件電性連接；一存儲電極，配置于該像素電極的下方，且與該第一公共電極線與該第二公共電極線的投影重疊，且該存儲電極通過一第二接觸孔與該像素電極電性連接。

優選地，所述第二公共電極線上下貫穿，且與該第一公共電極線同層交叉。

優選地，該第一、二公共電極線與該數據線同層，該第二公共電極線平行于該數據線。

優選地，該存儲電極配置于該第一公共電極線與該第二公共電極線投影區域的左上角和右下角的第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。

優選地，該存儲電極配置于該第一公共電極線與該第二公共電極線投影區域的左下角和右上角第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。

優選地，在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極線與該第二公共電極線的投影區域部分重疊形成存儲電容。

優選地，在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極與該第二公共電極的投影區域完全重疊形成存儲電容。

優選地，該第一、二公共電極線配置于該像素電極的下方，且與該像素電極部分重疊。