[發明專利]一種像素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201410272753.8
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN104049429B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 馬群剛
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種像素結構，其包括：

一基板，其上設置有：

第一公共電極線，具有一縫隙的非連續分布線；

第二公共電極線，與該第一公共電極線交叉設置圍成像素區域；

一數據線，設置在該像素區域的垂直方向上，且穿過該第一公共電極線的該縫隙；

一掃描線，設置在該像素區域的水平方向上，且與該數據線彼此交叉設置；

一主動元件，設置于該數據線與該掃描線交叉區域；

一像素電極，且通過一第一接觸孔與該主動元件電性連接；

一存儲電極，配置于該像素電極的下方，且與該第一公共電極線與該第二公共電極線的投影重疊，且該存儲電極通過一第二接觸孔與該像素電極電性連接。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于：所述第二公共電極線上下貫穿，且與該第一公共電極線同層交叉。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于：該第一、二公共電極線與該數據線同層，該第二公共電極線平行于該數據線。

4.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于：該存儲電極配置于該第一公共電極線與該第二公共電極線投影區域的左上角和右下角的第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。

5.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于：該存儲電極配置于該第一公共電極線與該第二公共電極線投影區域的左下角和右上角第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。

6.如權利要求4或5所述的像素結構，其特征在于：在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極線與該第二公共電極線的投影區域部分重疊形成存儲電容。

7.如權利要求4或5所述的像素結構，其特征在于：在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極與該第二公共電極的投影區域完全重疊形成存儲電容。

8.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于：該第一、二公共電極線配置于該像素電極的下方，且與該像素電極部分重疊。

9.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于：該第一、二公共電極線下方，存儲電極與該第一、二公共電極線重疊部分為1um以上。

10.一種如權利要求1所述像素結構的制作方法，其包括以下步驟：

步驟a,在一基板上，形成第一層金屬薄膜圖案，其包括掃描線，存儲電極；

步驟b,在該第一金屬層的圖案上，形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導體圖案；

步驟c,在該半導體層的圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，其包括數據線，第一、第二公共電極線，薄膜晶體管的源極、漏極；

步驟d,在該第二金屬層圖案上，形成透明的保護絕緣層，在該保護絕緣層的上方形成透明的有機絕緣膜，然后形成薄膜晶體管漏極上方的第一接觸孔，以及存儲電極上方的第二接觸孔；

步驟e,在該有機絕緣膜和該接觸孔的上方形成像素電極。