[發明專利]一種抗菌肽電化學發光傳感器及其制備方法和檢測方法有效
| 申請號: | 201410272590.3 | 申請日: | 2014-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN104076025B | 公開(公告)日: | 2017-04-05 |
| 發明(設計)人: | 欒崇林;代建國 | 申請(專利權)人: | 深圳職業技術學院 |
| 主分類號: | G01N21/76 | 分類號: | G01N21/76 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫,熊永強 |
| 地址: | 518055 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抗菌 電化學 發光 傳感器 及其 制備 方法 檢測 | ||
1.一種抗菌肽電化學發光傳感器,其特征在于,所述抗菌肽電化學發光傳感器包括裸金電極、以及依次層疊設置在所述裸金電極表面的L-半胱氨酸層、納米金層和抗菌肽抗體層,所述抗菌肽抗體層與所述納米金層通過靜電吸附作用結合在一起。
2.如權利要求1所述的抗菌肽電化學發光傳感器,其特征在于,所述抗菌肽抗體層采用的抗菌肽抗體為天蠶素B抗體。
3.一種抗菌肽電化學發光傳感器的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)提供裸金電極,將所述裸金電極置于濃度為15~25mmol/L的L-半胱氨酸溶液中,采用循環伏安法在所述裸金電極表面電鍍L-半胱氨酸層,得到L-半胱氨酸層修飾的電極;所述循環伏安法的電壓范圍為-0.5~1.0V,掃描速度為5~15mV/s,電鍍時間為20~30min;
(2)在所述L-半胱氨酸層修飾的電極表面滴加納米金分散液,在4℃下靜置20~24h,在所述L-半胱氨酸層表面制備納米金層,得到納米金層和L-半胱氨酸層修飾的電極;
(3)在所述納米金層和L-半胱氨酸層修飾的電極表面滴加濃度為4~8μg/mL的抗菌肽抗體溶液,并在4℃下反應12~24h,在所述納米金層表面制備抗菌肽抗體層,所述抗菌肽抗體層與所述納米金層通過靜電吸附作用結合在一起,得到所述抗菌肽電化學發光傳感器。
4.如權利要求3所述的抗菌肽電化學發光傳感器的制備方法,其特征在于,步驟(2)中,在所述L-半胱氨酸層修飾的電極表面滴加40μL的納米金分散液,所述納米金分散液中的納米金顆粒的粒徑為7~10nm。
5.如權利要求3所述的抗菌肽電化學發光傳感器的制備方法,其特征在于,步驟(2)中,所述納米金分散液的制備方法為:
取1~2mL濃度為0.02~0.03mol/L氯金酸溶液加入到45~49mL蒸餾水中,加熱至沸騰,然后在攪拌下快速加入3~6mL濃度為0.025~0.035mol/L的檸檬酸三鈉溶液,保持微沸,并連續攪拌,當溶液由淺黃色逐漸變成無色、灰色,直至變成酒紅色時,停止加熱,冷卻至常溫,定容至50mL,得到所述納米金分散液。
6.如權利要求3所述的抗菌肽電化學發光傳感器的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,在所述納米金層和L-半胱氨酸層修飾的電極表面滴加40~60μL的抗菌肽抗體溶液。
7.如權利要求6所述的抗菌肽電化學發光傳感器的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,在所述納米金層和L-半胱氨酸層修飾的電極表面滴加40~60μL濃度為5μg/mL抗菌肽抗體溶液。
8.如權利要求3所述的抗菌肽電化學發光傳感器的制備方法,其特征在于,將步驟(3)得到的所述抗菌肽電化學發光傳感器置于牛血清白蛋白溶液中,室溫下反應30~60min,將所述抗菌肽電化學發光傳感器取出,再置于pH=7.4的磷酸鹽緩沖溶液中浸泡5~8min,然后用所述磷酸鹽緩沖溶液清洗2~3次,最后將所述抗菌肽電化學發光傳感器在4℃冰箱中保存待用。
9.如權利要求1~2任一項所述的抗菌肽電化學發光傳感器應用于抗菌肽的定量檢測方法,其特征在于,包括以下步驟:
將所述抗菌肽電化學發光傳感器置于抗菌肽樣品中,在36~38℃下反應1.5~4h,取出所述抗菌肽電化學發光傳感器并清洗,將清洗后的抗菌肽電化學發光傳感器與電化學發光儀相連后,將所述抗菌肽電化學發光傳感器置于濃度為0.08~0.12mol/L的過硫酸鉀溶液中,采用循環伏安法,測試得到過硫酸鉀的電化學發光強度,所述循環伏安法的電壓范圍為-2.0~0.0V,掃描速度為80~120mV/s,根據電化學發光強度和抗菌肽濃度的標準曲線,得到抗菌肽樣品中的抗菌肽含量。
10.如權利要求9所述的抗菌肽電化學發光傳感器應用于抗菌肽的定量檢測方法,其特征在于,所述抗菌肽電化學發光傳感器應用于天蠶素B的定量檢測。
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